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申请/专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日：2003-12-03
公开（公告）日：2009-12-23
公开（公告）号：CN100573799C
专利技术分类：...阳极；对阴极[2006.01]
专利摘要：本发明涉及一种X-射线源，其包括：用于发射电子E的电子源1、响应于入射的电子E而发射特有的、基本为单色X-射线C的靶4和外耦合X-射线的外耦合装置11。为了获得具有高功率负荷率的特有的、基本上单色的X-射线，电子在厚度小于10μm的金属箔5上入射并且放置基底装置7、12，其中所述金属箔5的金属具有能够产生X-射线C的高原子序数，并且基底装置7、12主要包括的材料具有不产生X-射线C的低原子序数。外耦合装置适于在电子E入射的金属箔5侧面上外耦合X-射线C，金属箔的该侧面与基底装置7、12的侧面相对，因为在该侧面上几乎没有轫致辐射产生。
专利权项：1、一种X射线源，其包括：用于发射电子E的电子源1，响应于入射的电子E而发射单色X射线C的靶4，所述靶4包括厚度小于10μm的金属箔5和用于承载所述金属箔4的基底装置7、12，其中所述金属箔5的金属具有能够产生X射线C的原子序数，并且基底装置7、12主要包括的材料具有不产生X射线C的原子序数，并且其中所述金属箔5的原子序数高于基底装置7、12主要包括的材料的原子序数，和在金属箔5的侧面上外耦合X射线C的外耦合装置11，在金属箔的该侧面上电子E入射，并且该侧面与基底装置7、12的侧面相对，其中所述基底装置包括冷却线路7，该冷却线路被布置成使得冷却剂8流经与电子E入射的侧面相对的所述金属箔5的侧面，并且其中所述冷却线路7包括在金属箔5的区域内的收敛管道10。
百度查询： 皇家飞利浦电子股份有限公司 生单色X-射线的X-射线源
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