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申请/专利权人：ABB瑞士控股有限公司
申请日：1998-03-20
公开（公告）日：2004-06-23
公开（公告）号：CN1155098C
专利技术分类：.....双向型器，如双向三端晶闸管[2006.01]
专利摘要：此处的双向可控的可控硅的优点是改善了在两个可控硅结构间的去耦合，特别是不可能由于载流子的不需要的迁移而不受控制地触发串联结构。这通过下面的方法实现：增加阴极区域向着隔离区域减小的度。特别是可以通过下面方法实现：短路区域的每面积单位的密度向着隔离区域趋向一个最大值。使用一个线形的、沿着隔离区域延伸的贯穿的短路区域特别有效。
专利权项：1.在半导体上框架形成的双向可控的可控硅1，a在该半导体框架的一侧上的第一个主平面2和该半导体框架的相对一侧上的第二个主平面3之间，第一个可控硅具有第一个阳极区域4、第一个n型基极5、第一个p型基极6、第一个阴极区域7和第一个中心的栅极区域8，与它反向并联的第二个可控硅结构具有第二个阳极区域9、第二个n型基极10、第二个p型基极11、第二个阴极区域12和第二个中心栅极区域13，其中，第一个阳极区域4、第二个阴极区域2和第二个栅极区域13属于第一个主平面2，而第二个阳极区域9、第一个阴极区域7和第一个栅极区域8属于第二个主平面3；b在两个主平面2、3上，每一个隔离区域14位于两个可控硅结构之间，这些隔离区域14被设置在第一个主平面2的第一个阳极区域4和第二个阴极区域2之间并且位于第二个主平面3的第二个阳极区域9和第一个阴极区域7之间，以及c短路区域16，通过第一和第二个阴极区域7、12短路第一个和第二个p型基极6、11，第一个和第二个阴极区域7、12分别具有覆盖阴极区域的金属化层，其特征在于，短路区域16的每单位面积的密度向隔离区域14的方向增长，并且直接相邻的隔离区14有一个最大值。
百度查询： ABB瑞士控股有限公司 双向可控的可控硅
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