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申请/专利权人：索尼株式会社
申请日：2008-01-30
公开（公告）日：2008-08-06
公开（公告）号：CN101237532A
专利技术分类：
专利摘要：本发明提供了固态成像器件和固态成像装置。该成像器件包括成像部分、水平转移部分、输出部件、第一基准电势施加装置和第二基准电势施加装置，所述成像部件包括光接收部分和垂直转移寄存器，所述输出部件用于输出从电荷转换而成的电信号，所述电荷是从水平转移部分转移而来的。成像部分、水平转移部分和输出部件被形成在具有第二导电类型半导体区域的第一导电类型半导体基片中，基准电势被施加到第二导电类型半导体区域。第一基准电势施加装置向与形成输出部件的区域相对应的第二导电类型半导体区域施加基准电势。第二基准电势施加装置向与形成成像部分的区域相对应的第二导电类型半导体区域施加基准电势。
专利权项：1.一种固态成像器件，包括：成像部分，该成像部分包括以具有行和列的矩阵的形式布置的多个光接收部分和布置在所述光接收部分的每个纵列中的垂直转移寄存器，所述垂直转移寄存器用于沿垂直方向转移从所述光接收部分转移来的电荷；水平转移部分，用于沿水平方向转移从所述垂直转移寄存器转移来的电荷；输出部件，用于输出从电荷转换而成的电信号，所述电荷是从所述水平转移部分转移而来的；其中所述成像部分、所述水平转移部分和所述输出部件被形成在具有第二导电类型半导体区域的第一导电类型半导体基片中，并且预定的基准电势被施加到所述第二导电类型半导体区域；第一基准电势施加装置，用于向与形成所述输出部件的区域相对应的第二导电类型半导体区域施加基准电势；以及第二基准电势施加装置，用于向与形成所述成像部分的区域相对应的第二导电类型半导体区域施加基准电势。
百度查询： 索尼株式会社 固态成像器件和固态成像装置
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