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申请/专利权人：松下电器产业株式会社
申请日：2012-10-03
公开（公告）日：2013-08-14
公开（公告）号：CN103250252A
专利技术分类：....包含场效应组件的[2023.01]
专利摘要：非易失性存储装置具备第1电极（103）、第2电极（106）和电阻变化层（104），电阻变化层（104）具备：第1氧化物层（104a），含有第1金属的氧化物；第2氧化物层（104b），在第1氧化物层（104a）和第2电极（106）之间相接配置，含有第2金属的氧化物，与第1氧化物层（104a）相比氧不足率小；及局部区域（105），在第1氧化物层（104a）及第2氧化物层（104b）内与第2电极（106）相接配置，不与第1电极（103）相接，与第2氧化物层（104b）相比氧不足率大，氧不足率与第1氧化物层（104a）不同。
专利权项：一种电阻变化型的非易失性存储元件，其中，具备第1电极、第2电极和电阻变化层，该电阻变化层介于上述第1电极和上述第2电极之间，根据在上述第1电极及上述第2电极间赋予的电压极性而可逆地使高电阻状态和低电阻状态转变；上述电阻变化层包含：第1氧化物层，含有第1金属的氧化物；第2氧化物层，在上述第1氧化物层和上述第2电极之间相接配置，含有第2金属的氧化物，与上述第1氧化物层相比氧不足率小；及局部区域，在上述第1氧化物层及上述第2氧化物层内与上述第2电极相接配置，不与上述第1电极相接，与上述第2氧化物层相比氧不足率大，氧不足率与上述第1氧化物层不同。
百度查询： 松下电器产业株式会社 非易失性存储元件及非易失性存储装置
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