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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2002-03-13
公开（公告）日：2005-08-17
公开（公告）号：CN1215538C
专利技术分类：.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择[2006.01]
专利摘要：本发明的热处理装置包括：将被处理体被运入和运出的反应容器；用于将处理气体导入所述反应容器内的处理气体导入部；与所述处理气体导入部分别设置，用于将置换气体导入所述反应容器内的置换气体导入部；以及用于排出所述反应容器内的气体的排气部。控制部连接到所述处理气体导入部、所述置换气体导入部和所述排气部。控制部控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时低，接着控制所述处理气体导入部和所述置换气体导入部，停止所述处理气体的导入，将置换气体导入所述反应容器内，同时控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时高，接着控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时低。
专利权项：1.一种热处理装置，其特征在于，包括：处理被处理体的反应容器；用于将处理气体导入所述反应容器内的处理气体导入部；与所述处理气体导入部分别设置，用于将置换气体导入所述反应容器内的置换气体导入部；用于排出所述反应容器内的气体的排气部；以及控制部，其与所述处理气体导入部、所述置换气体导入部和所述排气部连接，控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时低，接着控制所述处理气体导入部和所述置换气体导入部，停止所述处理气体的导入，将置换气体导入所述反应容器内，同时控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时高，接着控制所述排气部，使所述反应容器内的压力比热处理时低。
百度查询： 东京毅力科创株式会社 热处理装置和热处理方法
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