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申请/专利权人：东北技术使者株式会社;古河机械金属株式会社;三菱化学株式会社;同和控股(集团)有限公司;株式会社EpiValley;伟方亮有限公司

申请日：2006-03-31

公开（公告）日：2016-02-17

公开（公告）号：CN102634849B

专利技术分类：..AⅢBv化合物[2006.01]

专利摘要：使用在基板上生长的金属缓冲层来生长GaN系薄膜厚膜。a在蓝宝石基板120上蒸镀形成Cr、Cu等的金属缓冲层210。b对于在蓝宝石基板120上蒸镀金属缓冲层210得到的基板，在氨气气氛中进行氮化处理，形成金属氮化物层212。c在氮化处理过的金属缓冲层210、212上，生长GaN缓冲层222。d最后生长GaN单晶层220。该GaN单晶层220可以根据需要生长为各种厚度。通过上述工序制备的基板，通过选择性化学蚀刻可制备自支撑基板，还可以作为用于制备GaN系发光二极管、激光二极管的GaN模板基板来使用。

专利权项：一种GaN单晶生长方法，其特征在于，该方法具有：铬层生长过程，在底层基板上生长铬层；氮化过程，将所述铬层的至少表面氮化，生长铬氮化物层；GaN缓冲层生长过程，在所述铬氮化物层上生长GaN缓冲层；GaN层生长过程，在所述GaN缓冲层上生长单晶GaN层；所述铬氮化物层为111取向，所述GaN缓冲层生长过程中，在900℃～1100℃的温度范围生长GaN缓冲层。

百度查询： 东北技术使者株式会社 古河机械金属株式会社 三菱化学株式会社 同和控股(集团)有限公司 株式会社EpiValley 伟方亮有限公司 GaN单晶生长方法、GaN基板制备方法、GaN系元件制备方法以及GaN系元件