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申请/专利权人：东北技术使者株式会社
申请日：2006-03-31
公开（公告）日：2008-05-14
公开（公告）号：CN101180420A
专利技术分类：..氮化物[2006.01]
专利摘要：使用在基板上生长的金属缓冲层来生长GaN系薄膜厚膜。a在蓝宝石基板120上蒸镀形成Cr、Cu等的金属缓冲层210。b对于在蓝宝石基板120上蒸镀金属缓冲层210得到的基板，在氨气气氛中进行氮化处理，形成金属氮化物层212。c在氮化处理过的金属缓冲层210、212上，生长GaN缓冲层222。d最后生长GaN单晶层220。该GaN单晶层220可以根据需要生长为各种厚度。通过上述工序制备的基板，通过选择性化学蚀刻可制备自支撑基板，还可以作为用于制备GaN系发光二极管、激光二极管的GaN模板基板来使用。
专利权项：1.一种GaN单晶生长方法，其特征在于，该方法具有：生长过程，在基板上生长金属缓冲层；氮化过程，将该金属缓冲层的表面或该金属缓冲层整体氮化，制备金属氮化物层；GaN缓冲层生长过程，在该金属氮化物层上生长GaN缓冲层；GaN层生长过程，在该GaN缓冲层上生长单晶GaN层；所述金属缓冲层为Cr、Cu。
百度查询： 东北技术使者株式会社 GaN单晶生长方法、GaN基板制备方法、GaN系元件制备方法以及GaN系元件
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