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申请/专利权人：株式会社爱发科
申请日：2010-09-17
公开（公告）日：2012-05-30
公开（公告）号：CN102482105A
专利技术分类：..纯化（用区域熔融入C30B13/00）[2006.01]
专利摘要：本发明的硅精制方法中，使用至少具备填充金属硅的坩埚和等离子体喷枪的硅精制装置，填充在所述坩埚中的金属硅的熔融金属面与由所述等离子体喷枪喷射的等离子体气体形成的角被设定为20度以上80度以下的状态下，向着所述熔融金属面喷射所述等离子体气体，由此精制所述金属硅。
专利权项：一种硅精制方法，其特征在于，使用至少具备填充金属硅的坩埚和等离子体喷枪的硅精制装置，填充在所述坩埚中的金属硅的熔融金属面与由所述等离子体喷枪喷射的等离子体气体形成的角被设定为20度以上80度以下的状态下，向着所述熔融金属面喷射所述等离子体气体，由此精制所述金属硅。
百度查询： 株式会社爱发科 硅精制方法及硅精制装置
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