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申请/专利权人：株式会社迪思科
申请日：2016-08-01
公开（公告）日：2017-02-15
公开（公告）号：CN106409710A
专利技术分类：.在制造或处理过程中的测试或测量[2006.01]
专利摘要：提供密接程度检测方法，对粘接在半导体晶片等晶片的正面上的保护带的密接程度进行检测。密接程度检测方法对晶片与保护带的密接程度进行检测，具有如下的工序：保护带粘接工序，使粘合层与晶片的正面相对而将保护带粘接在晶片的正面上；保护带剥离工序，将晶片的正面上所粘接的保护带剥离；第1高低差检测工序，对晶片的正面的任意的特定区域进行拍摄，并对正面的凹凸的第1高低差进行检测；第2高低差检测工序，对从晶片的正面剥离的保护带中的与特定区域对应的粘合层的对应区域进行拍摄，并对转印至粘合层的凹凸的第2高低差进行检测；和判定工序，对第1高低差和第2高低差进行比较而判定第2高低差相对于第1高低差是否在容许范围内。
专利权项：一种密接程度检测方法，对将保护带粘接在晶片的正面上时的保护带相对于晶片的密接程度进行检测，其中，该保护带具有粘合层，该晶片在所述正面上形成有多条分割预定线并且在由该多条分割预定线划分的多个区域内形成有器件，该密接程度检测方法的特征在于，具有如下的工序：保护带粘接工序，使粘合层与晶片的正面相对而将保护带粘接在晶片的正面上；保护带剥离工序，将晶片的正面上所粘接的保护带剥离；第1高低差检测工序，对晶片的正面的任意的特定区域进行拍摄，并对正面的凹凸的第1高低差进行检测；第2高低差检测工序，对从晶片的正面剥离了的保护带中的与该特定区域对应的粘合层的对应区域进行拍摄，并对转印至粘合层的凹凸的第2高低差进行检测；以及判定工序，对该第1高低差和该第2高低差进行比较，如果该第2高低差相对于该第1高低差在容许范围内，则判定为密接程度合格，如果该第2高低差相对于该第1高低差在容许范围外，则判定为密接程度不合格。
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