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申请/专利权人：硅谷数模半导体(北京)有限公司;硅谷数模国际有限公司

申请日：2016-08-30

公开（公告）日：2019-07-23

公开（公告）号：CN106300950B

专利技术分类：.用于启动和停止变换器的装置[2007.01]

专利摘要：本发明公开了一种启动电路及其启动方法。其中，该方法包括：待启动的电路，待启动的电路包括第一输入端、第二输入端和第三输入端；开关SW1，开关SW1的第一端与第一输入端相连接，第一输入端连接高电平；电容C1，电容C1的一端与开关SW1的第二端相连接，电容C1的另一端连接低电平，第三输入端连接低电平；开关SW2，开关SW2的第一端与开关SW1的第二端相连接，开关SW2的第二端连接第二输入端。本发明解决了现有的启动电路耗费功耗的技术问题。

专利权项：1.一种启动电路，其特征在于，包括：待启动的电路，所述待启动的电路包括第一输入端、第二输入端和第三输入端；开关SW1，所述开关SW1的第一端与所述第一输入端相连接，所述第一输入端连接高电平；电容C1，所述电容C1的一端与所述开关SW1的第二端相连接，所述电容C1的另一端连接低电平，所述第三输入端连接所述低电平；开关SW2，所述开关SW2的第一端与所述开关SW1的第二端相连接，所述开关SW2的第二端连接所述第二输入端；在上电时，开关SW3和开关SW4断开，所述开关SW1断开，所述开关SW2闭合导通；所述开关SW1的第二端的电容上的电荷通过所述开关SW2和电阻R1对所述第二输入端放电，所述电阻R1包括：所述开关SW2的内阻，或，额外限流的电阻；所述开关SW1的第二端的电容的电荷会把所述第二输入端的电压拉高，当所述第二输入端的电压高于晶体管M3的阈值电压时，所述晶体管M3导通，同时晶体管M4也同时导通；所述晶体管M4导通以后会把晶体管M2的源极的电压拉低，以使得晶体管M2导通，同时晶体管M1也导通；其中,电阻R1，所述电阻R1的一端连接所述开关SW2的第二端，所述电阻R1的另外一端连接所述第二输入端；所述待启动的电路为偏置电路,其中,所述偏置电路包括：第一偏置部分，所述第一偏置部分包括所述第一输入端；第二偏置部分，所述第二偏置部分包括所述第三输入端，其中，所述第一偏置部分与所述第二偏置部分连接成所述偏置电路，所述第二输入端作为所述第一偏置部分和所述第二偏置部分的输入端；其中，所述第一偏置部分包括:所述晶体管M1、所述晶体管M2和所述开关SW3；所述第二偏置部分包括:所述晶体管M3、所述晶体管M4和所述开关SW4；所述第一偏置部分包括：晶体管M1，所述晶体管M1的漏极连接所述高电平，栅极连接晶体管M2的栅极，源极连接所述第二输入端；所述晶体管M2，所述晶体管M2的源极连接所述高电平，源极连接所述第二偏置部分，所述晶体管M2的栅极和所述晶体管M2的源极相连接；开关SW3，一端连接所述高电平，另外一端连接所述晶体管M1的栅极；所述第二偏置部分包括：晶体管M3，所述晶体管M3的源极连接所述晶体管M1的源极，所述晶体管M3的漏极连接低电平，所述晶体管M3的栅极连接晶体管M4的栅极，所述晶体管M3的栅极连接所述晶体管M3的源极；所述晶体管M4的源极连接所述晶体管M2的源极，所述晶体管M3的漏极通过电阻R2连接所述低电平；开关SW4，一端连接所述晶体管M4的栅极，另外一端连接所述低电平。

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