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申请/专利权人：华南理工大学

摘要：本发明属于光电器件领域，公开了一种基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层OLEDs。所述叠层OLEDs的结构由下至上依次为玻璃基板、ITO阳极层、有机异质结层1、空穴传输层1、电子阻挡层1、发光层1、电子传输层1、电子注入层1、有机异质结层2、空穴传输层2、电子阻挡层2、发光层2、电子传输层2、电子注入层2、有机异质结层3和Al阴极层。本发明的叠层OLEDs表现出与传统OLEDs截然不同的电荷产生与注入方式，显著地提高了器件的效率和稳定性，对制备高效率、高亮度、长寿命有机发光二极管及其应用具有重要意义。

主权项：1.一种基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层OLEDs，其特征在于：所述叠层OLEDs的结构由下至上依次为玻璃基板、ITO阳极层、有机异质结层1、空穴传输层1、电子阻挡层1、发光层1、电子传输层1、电子注入层1、有机异质结层2、空穴传输层2、电子阻挡层2、发光层2、电子传输层2、电子注入层2、有机异质结层3和Al阴极层。

全文数据：基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层OLEDs技术领域本发明属于光电器件领域，具体涉及一种基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层OLEDs。背景技术自有机发光二极管Organiclight-emittingdiodes，OLEDs诞生以来，由于具有自发光、快响应、宽色域、无影、光线柔和、无蓝光伤害、大面积柔性可弯曲等诸多优点，使其逐渐成为下一代新型显示和照明技术，并且在智能手表、手机、电视等显示领域和汽车照明、医疗照明等照明领域有着巨大的发展潜力。经过了几十年的发展，OLEDs已经在材料、器件和工艺等方面取得了显著进展，在效率和稳定性方面达到了实际应用要求。然而，传统OLEDs仍然存在着诸多问题有待去解决，需要开发新的材料和器件结构，进一步提高效率和稳定性，降低成本。OLEDs实际应用需要在高亮度下同时具有高效率和高稳定性的特性，这不仅需要器件在低的电压下实现高效和平衡的电子和空穴注入，也需要器件在低的电流密度下实现高亮度的同时保持器件高的效率和稳定性。传统OLEDs由于金属电极材料和有机材料之间能级不匹配而存在着较大的注入势垒，因此，电荷的注入会受到电极功函数的限制，而且由于电极和有机材料之间注入势垒的存在，当电荷注入时，大量电荷会积累在电极界面且形成局域高电场，并且有机材料与无机金属之间界面缺陷也会淬灭电荷和界面不稳定性，这些都会影响OLEDs效率和稳定性。另外，单元OLEDs也存在高电流密度下一定的高亮度限制，以及薄的有机薄膜及其缺陷带来的漏电问题，限制了OLEDs效率和稳定性的进一步提高，用电荷产生层作为单元器件的中间连接层制备的叠层OLEDs可以解决这个问的难题，但传统电荷产生层无法提高叠层OLEDs的功率效率，限制了其在照明领域中的应用。发明内容针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本发明的目的在于提供一种基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层OLEDs。相对于传统的OLEDs，本发明提出的OLEDs最显著的特点是用有机半导体异质结同时作为电荷注入层和中间连接层，利用有机半导体异质结在外加电场下的高效电荷产生和高导电特性，实现电子和空穴的高效平衡注入，这不仅实现了器件在低电流密度下的高亮度、高效率，降低器件的工作电压，提高功率效率，也避免了电极界面不稳定和漏电造成的器件退化问题，为高性能OLEDs的制备提供了新的途径。本发明目的通过以下技术方案实现：一种基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层OLEDs，其结构由下至上依次为玻璃基板、ITO阳极层、有机异质结层1、空穴传输层1、电子阻挡层1、发光层1、电子传输层1、电子注入层1、有机异质结层2、空穴传输层2、电子阻挡层2、发光层2、电子传输层2、电子注入层2、有机异质结层3和Al阴极层。所述结构中的有机异质结层1、有机异质结层2和有机异质结层3均是由p型有机半导体材料和n型有机半导体材料组成的有机平面异质结层；所述n型有机半导体材料的最低未占据分子轨道LUMO和p型有机半导体材料的最高占据分子轨道HOMO之间的能级差≤0.3eV。优选地，所述n型有机半导体材料选自HAT-CN。优选地，所述p型有机半导体材料选自TAPC、m-MTDATA、TCTA、NPB、4P-NPB、MCP、CBP和并五苯pentacene中的任意一种。优选地，所述发光层1和发光层2为发射红、绿、蓝、橙或白光中的任意一种。优选地，所述发光层1和发光层2的材料为荧光染料、磷光染料或热延迟荧光染料客体掺杂主体中的任意一种。进一步地，所述客体选自红光IrMDQ2acac、绿光Irppy2acac、蓝光Firpic或橙光Irtptpy2acac，所述主体选自红光TCTA:Bepp2、绿光Bepp2、蓝光mCBP:PO-T2T或橙光TCTA:Bepp2。优选地，所述电子注入层1或电子注入层2是由1.5纳米Liq和0.5纳米Al薄层组成。优选地，所述Al阴极层的厚度大于100纳米。本发明利用有机半导体异质结在外加电场下的高效电荷产生和高导电特性，实现电子和空穴的高效平衡注入，降低器件的工作电压。由以上所选用的p型和n型有机半导体材料能级要求可以看出，因为p型有机半导体材料的HOMO能级和n型有机半导体材料的LUMO能级非常接近，p型有机半导体材料的费米能级高于n型有机半导体材料。因此，当这两种材料接触形成平面异质结时，p型有机半导体材料上的电子会遂穿到n型有机半导体材料上，从而使p型有机半导体材料的一侧累积空穴，n型半导体材料的一侧累积电子，于是在两者界面处会形成一个累积大量自由电荷的空间电荷区，并且这种空间电荷区的内部电场方向与外加电场方向是相同的，空间电荷区中的电荷是自由运动的，因此空间电荷区是高导电的。很显然，这种具有高效电荷产生特性和高导电性的有机半导体异质结作为电荷注入层和电荷产生层，就可以显著降低制备的叠层器件的工作电压，提高器件的效率和亮度。本发明的基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层有机发光二极管，当ITO为正极、Al电极为负极时，在ITO正极一侧的有机半导体异质结层1在电场下分别产生电子和空穴，其中产生的空穴在电场作用下注入并传输到发光层1，产生的电子输运到ITO电极。相同地，位于两个发光单元之间的有机异质结层2在电场作用下产生电子和空穴，产生的电子注入并传输到发光层1与来自有机异质结层1的空穴复合发光，而有机异质结层2中产生的空穴注入传输到发光层2与来自有机异质结层3中产生的电子复合发光，同时有机异质结层3中产生的空穴输运到Al电极一侧构成回路。因此，在电场作用下，叠层有机发光二极管中所有注入的电子和空穴都来自于有机半导体异质结，这样器件在低电流密度下实现高亮度和高效率的同时，也大大提高了器件在高亮度下效率和稳定性。因为有机半导体异质结的电荷产生是电场关系的，因此很容易实现器件中的电子和空穴注入和传输平衡，避免电荷和激子积累造成的激子淬灭问题，降低了器件在高亮度下的效率滚降。相对于现有技术，本发明的叠层OLEDs具有如下优点及有益效果：本发明提出的一种基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层OLEDs，与传统OLEDs相比，不仅实现了在低电流密度下的高亮度和高效率，也改善了器件在高亮度下的效率滚降和器件的稳定性。不同于传统OLEDs，用有机半导体异质结作为电荷注入层和电荷产生层，不但实现了电荷注入原理的突破，解决了电极界面势垒和不稳定性造成的器件退化问题，并且在低电流密度下即可取得高效率和高亮度，从而最大程度消除了在高电流密度下器件效率和寿命衰减，解决了通常叠层OLEDs功率效率不能提高的难题，显著地提高了器件的效率和稳定性。附图说明图1是本发明实施例中基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层OLEDs的结构示意图。其中1是玻璃基板，2是ITO阳极，3是n型有机半导体，4是p型有机半导体，5是空穴传输层，6是电子阻挡层，7是发光层，8是电子传输层、9是电子注入层，10是Al薄层，11是n型有机半导体，12是p型有机半导体，13是空穴传输层，14是电子阻挡层，15是发光层，16是电子传输层、17是Liq层，18是Al薄层，19是n型有机半导体，20是p型有机半导体，21是Al阴极。图2是本发明实施例1中基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层红光OLEDs的电致发光特性曲线图。其中，a是电流密度-亮度-电压特性曲线，b是电流效率-功率效率-亮度特性曲线，c是外量子效率-亮度特性曲线，d是电致发光光谱。图3是本发明实施例2中基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层绿光OLEDs的电致发光特性曲线图。其中，a是电流密度-亮度-电压特性曲线，b是电流效率-功率效率-亮度特性曲线，c是外量子效率-亮度特性曲线，d是电致发光光谱。图4是本发明实施例3中基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层蓝光OLEDs的电致发光特性曲线图。其中，a是电流密度-亮度-电压特性曲线，b是电流效率-功率效率-亮度特性曲线，c是外量子效率-亮度特性曲线，d是电致发光光谱。图5是本发明实施例4中基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层橙光OLEDs的电致发光特性曲线图。其中，a是电流密度-亮度-电压特性曲线，b是电流效率-功率效率-亮度特性曲线，c是外量子效率-亮度特性曲线，d是电致发光光谱。具体实施方式下面结合实施例及附图对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。实施例1本实施例是一种基于有机半导体异质结作为电荷产生层的叠层红光OLEDs，其结构示意图如图1所示，具体制备方法如下：首先选取尺寸大小为30毫米×30毫米、ITO厚度约为180纳米、方块电阻小于10欧姆方块的玻璃基底，玻璃基底1上的ITO阳极2被刻成长度为30毫米、宽度为4毫米的图案，然后用专用清洗剂对玻璃基底进行超声清洗90分钟，再用去离子水反复冲洗干净玻璃基底，并用高压氮气吹干ITO表面，接着将处理过的玻璃基片放入120℃的烘箱中干燥处理30分钟，最后对烘干的ITO玻璃基片的ITO阳极表面进行紫外臭氧处理4分钟来提高阳极功函数，最后将ITO玻璃基片传入到真空蒸镀室内准备。当真空蒸镀室内压强经真空泵抽至1～5×10-5帕时，开始对有机材料进行加热并依次蒸镀每个有机层。在ITO电极2上蒸镀的有机功能层依次为n型有机半导体层3HAT-CN二吡嗪并2,3-f:2',3'-h喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈、p型有机半导体层4TAPC4,4'-环己基二N,N-二4-甲基苯基苯胺、空穴传输层5TAPC、电子阻挡层6TCTA4,4’,4”-三咔唑-9-基三苯胺、发光层7TCTA:Bepp2:IrMDQ2acac、电子传输层8Bepp2双2-2-吡啶基苯酚铍、电子注入层Liq98-羟基喹啉-锂、Al薄层10铝、n型有机半导体层11HAT-CN、p型有机半导体层12TAPC、空穴传输层13TAPC、电子阻挡层14TCTA、发光层15TCTA:Bepp2:IrMDQ2acac、电子传输层16Bepp2、电子注入层17Liq、Al薄层18、n型有机半导体层19、p型有机半导体层20TAPC、Al阴极层21。最终制备出器件结构为ITOHAT-CN10nmTAPC60nmTCTA5nmTCTA:Bepp2:IrMDQ2acac1:1:3％，20nmBepp230nmLiq1.5nmAl0.5nmHAT-CN10nmTAPC105nmTCTA5nmTCTA:Bepp2:IrMDQ2acac1:1:3％，20nmBepp230nmLiq1.5nmAl0.5nmHAT-CN5nmTAPC10nmAl150nm的叠层红光OLEDs。每一层蒸镀的厚度和实时速率均由石英晶振膜厚检测系统监测，整个器件制备过程都是在环境温度约为26℃、空气湿度保持低于45％的万级超净实验室内完成。图2为本实施例中制备的基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层红光OLEDs的电致发光特性。由性能曲线可以看出，基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层红光OLEDs，其启亮电压低至5V，最大功率效率可以达到33..8lmW-1，最大电流效率可以达到59.4cdA-1，外量子效率最大可以达到48.1％。当亮度增加至1000cdm-2时，功率效率、电流效率以及外量子效率仍然可以保持25lmW-1、57.4cdA-1和45.9％，在电流密度为10mAcm-2时，亮度达到了5383cdm-2。实施例2本实施例是一种基于有机半导体异质结作为电荷产生层的叠层绿光OLEDs，其结构示意图如图1所示，具体制备方法如下：首先选取尺寸大小为30毫米×30毫米、ITO厚度约为180纳米、方块电阻小于10欧姆方块的玻璃基底，玻璃基底1上的ITO阳极2被刻成长度为30毫米、宽度为4毫米的图案，然后用专用清洗剂对玻璃基底进行超声清洗90分钟，再用去离子水反复冲洗干净玻璃基底，并用高压氮气吹干ITO表面，接着将处理过的玻璃基片放入120℃的烘箱中干燥处理30分钟，最后对烘干的ITO玻璃基片的ITO阳极表面进行紫外臭氧处理4分钟来提高阳极功函数，最后将ITO玻璃基片传入到真空蒸镀室内准备。当真空蒸镀室内压强经真空泵抽至1～5×10-5帕时，开始对有机材料进行加热并依次蒸镀每个有机层。在ITO电极2上蒸镀的有机功能层依次为n型有机半导体层3HAT-CN二吡嗪并2,3-f:2',3'-h喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈、p型有机半导体层4TAPC4,4'-环己基二N,N-二4-甲基苯基苯胺、空穴传输层5TAPC、阻挡层6TCTA4,4’,4”-三咔唑-9-基三苯胺、发光层7Bepp2:Irppy2acac双2-2-吡啶基氮苯基-碳乙酰丙酮铱III、电子传输层8Bepp2双2-2-吡啶基苯酚铍、电子注入层Liq98-羟基喹啉-锂、Al薄层10铝、n型有机半导体层11HAT-CN、p型有机半导体层12TAPC、空穴传输层13TAPC、阻挡层14TCTA、发光层15Bepp2:Irppy2acac、电子传输层16Bepp2、电子注入层17Liq、Al薄层18、n型有机半导体层19HAT-CN、p型有机半导体层20TAPC和Al阴极层21。最终制备出器件结构为ITOHAT-CN10nmTAPC50nmTCTA5nmBepp2:Irppy2acac1:7％，20nmBepp230nmLiq1.5nmAl0.5nmHAT-CN10nmTAPC65nmTCTA5nmBepp2:Irppy2acac1:7％，20nmBepp230nmLiq1.5nmAl0.5nmHAT-CN5nmTAPC10nmAl150nm的叠层绿光OLEDs。每一层蒸镀的实时速率和厚度均由石英晶振膜厚检测系统监测，整个器件制备过程都是在环境温度约为26℃、空气湿度保持低于45％的万级超净实验室内完成。图3为本实施例中制备的基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层绿光OLEDs的电致发光特性。由性能曲线可以看出，基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层绿光OLEDs，其启亮电压低至5V，最大功率效率可以达到101.7lmW-1，最大电流效率可以达到172.9cdA-1，外量子效率最大可以达到45.9％。当亮度增加至1000cdm-2时，功率效率、电流效率以及外量子效率仍然可以保持83lmW-1、169.2cdA-1和44.7％，在电流密度为10mAcm-2时，亮度即可到达14886cdm-2。实施例3本实施例是一种基于有机半导体异质结作为电荷产生层的叠层蓝光OLEDs，其结构示意图如图1所示，具体制备方法如下：首先选取尺寸大小为30毫米×30毫米、ITO厚度约为180纳米、方块电阻小于10欧姆方块的玻璃基底，玻璃基底1上的ITO阳极2被刻成长度为30毫米、宽度为4毫米的图案，然后用专用清洗剂对玻璃基底进行超声清洗90分钟，再用去离子水反复冲洗干净玻璃基底，并用高压氮气吹干ITO表面，接着将处理过的玻璃基片放入120℃的烘箱中干燥处理30分钟，最后对烘干的ITO玻璃基片的ITO阳极表面进行紫外臭氧处理4分钟来提高阳极功函数，最后将ITO玻璃基片传入到真空蒸镀室内准备。当真空蒸镀室内压强经真空泵抽至1～5×10-5帕时，开始对有机材料进行加热并依次蒸镀每个有机层。在ITO电极2上蒸镀的有机功能层依次为n型有机半导体层3HAT-CN二吡嗪并2,3-f:2',3'-h喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈、p型有机半导体层4TAPC4,4'-环己基二N,N-二4-甲基苯基苯胺、空穴传输层5TAPC、阻挡层6mCBP3,3’-二N-咔唑基-1,1’-联苯、发光层7mCBP:PO-T2T:Firpic双3,5-二氟-2-2-吡啶基-2-羧基苯基吡啶铱III、电子传输层8PO-T2T、电子注入层9Liq8-羟基喹啉-锂、Al薄层10铝、n型有机半导体层11HAT-CN、p型有机半导体层12TAPC、空穴传输层13TAPC、阻挡层14mCBP、发光层15mCBP:PO-T2T:Firpic、电子传输层16PO-T2T、电子注入层17Liq、Al薄层18、n型有机半导体层19HAT-CN、p型有机半导体层20TAPC和Al阴极层21。最终制备出器件结构为ITOHAT-CN10nmTAPC60nmmCBP5nmmCBP:PO-T2T:Firpic1:1:15％，20nmPO-T2T35nmLiq1.5nmAl0.5nmHAT-CN10nmTAPC65nmmCBP5nmmCBP:PO-T2T:Firpic1:1:15％，20nmPO-T2T35nmLiq1.5nmAl0.5nmHAT-CN5nmTAPC10nmAl150nm的叠层蓝光OLEDs。每一层蒸镀的实时速率和厚度均由石英晶振膜厚检测系统监测，整个器件制备过程都是在环境温度约为26℃、空气湿度保持低于45％的万级超净实验室内完成。图4为本实施例中制备的基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层蓝光OLEDs的电致发光特性。由性能曲线可以看出，基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层蓝光OLEDs，其启亮电压低至5V，最大功率效率可以达到59.8lmW-1，最大电流效率可以达到99.2cdA-1，外量子效率最大可以达到48.4％。当亮度增加至1000cdm-2时，功率效率、电流效率以及外量子效率仍然可以保持47.1lmW-1、96cdA-1和46.8％，在电流密度为10mAcm-2时，亮度即可到达7843cdm-2。实施例4本实施例是一种基于有机半导体异质结作为电荷产生层的叠层橙光OLEDs，其结构示意图如图1所示，具体制备方法如下：首先选取尺寸大小为30毫米×30毫米、ITO厚度约为180纳米、方块电阻小于10欧姆方块的玻璃基底，玻璃基底1上的ITO阳极2被刻成长度为30毫米、宽度为4毫米的图案，然后用专用清洗剂对玻璃基底进行超声清洗90分钟，再用去离子水反复冲洗干净玻璃基底，并用高压氮气吹干ITO表面，接着将处理过的玻璃基片放入120℃的烘箱中干燥处理30分钟，最后对烘干的ITO玻璃基片的ITO阳极表面进行紫外臭氧处理4分钟来提高阳极功函数，最后将ITO玻璃基片传入到真空蒸镀室内准备。当真空蒸镀室内压强经真空泵抽至1～5×10-5帕时，开始对有机材料进行加热并依次蒸镀每个有机层。在ITO电极2上蒸镀的有机功能层依次为n型有机半导体层3HAT-CN二吡嗪并2,3-f:2',3'-h喹喔啉-2,3,6,7,10,11-六腈、p型有机半导体层4TAPC4,4'-环己基二N,N-二4-甲基苯基苯胺、空穴传输层5TAPC、阻挡层6TCTA4,4’,4”-三咔唑-9-基三苯胺、发光层7TCTA:Bepp2:Irtptpy2acac、电子传输层8Bepp2双2-2-吡啶基苯酚铍、电子注入层Liq98-羟基喹啉-锂、Al薄层10铝、n型有机半导体层11HAT-CN、p型有机半导体层12TAPC、空穴传输层13TAPC、阻挡层14TCTA、发光层15TCTA:Bepp2:Irtptpy2acac、电子传输层16Bepp2、电子注入层Liq17、Al薄层18、n型有机半导体层19HAT-CN、p型有机半导体层20TAPC和Al阴极层21。最终制备出器件结构为ITOHAT-CN10nmTAPC70nmTCTA5nmTCTA:Bepp2:Irtptpy2acac1:1:3％，20nmBepp230nmLiq1.5nmAl0.5nmHAT-CN10nmTAPC75nmTCTA5nmTCTA:Bepp2:Irtptpy2acac1:1:3％，20nmBepp230nmLiq1.5nmAl0.5nmHAT-CN5nmTAPC10nmAl150nm的叠层橙光OLEDs。每一层蒸镀的厚度和实时速率均由石英晶振膜厚检测系统监测，整个器件制备过程都是在环境温度约为26℃、空气湿度保持低于45％的万级超净实验室内完成。图5为本实施例中制备的基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层橙光OLEDs的电致发光特性。由性能曲线可以看出，基于有机半导体异质结为电荷产生层的橙光OLEDs，其启亮电压低至5V，最大功率效率可以达到93.2lmW-1，最大电流效率可以达到161.9cdA-1，外量子效率最大可以达到47.2％。当亮度增加至1000cdm-2时，功率效率、电流效率以及外量子效率仍然可以保持78.1lmW-1、159.1cdA-1和46.3％，在电流密度为10mAcm-2时，亮度即可到达14144cdm-2。上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其它的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

权利要求：1.一种基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层OLEDs，其特征在于：所述叠层OLEDs的结构由下至上依次为玻璃基板、ITO阳极层、有机异质结层1、空穴传输层1、电子阻挡层1、发光层1、电子传输层1、电子注入层1、有机异质结层2、空穴传输层2、电子阻挡层2、发光层2、电子传输层2、电子注入层2、有机异质结层3和Al阴极层。2.根据权利要求1所述的一种基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层OLEDs，其特征在于：所述结构中的有机异质结层1、有机异质结层2和有机异质结层3均是由p型有机半导体材料和n型有机半导体材料组成的有机平面异质结层；所述n型有机半导体材料的LUMO和p型有机半导体材料的HOMO之间的能级差≤0.3eV。3.根据权利要求2所述的一种基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层OLEDs，其特征在于：所述n型有机半导体材料选自HAT-CN。4.根据权利要求2所述的一种基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层OLEDs，其特征在于：所述p型有机半导体材料选自TAPC、m-MTDATA、TCTA、NPB、4P-NPB、MCP、CBP和并五苯中的任意一种。5.根据权利要求1所述的一种基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层OLEDs，其特征在于：所述发光层1和发光层2为发射红、绿、蓝、橙或白光中的任意一种。6.根据权利要求5所述的一种基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层OLEDs，其特征在于：所述发光层1和发光层2的材料为荧光染料、磷光染料或热延迟荧光染料客体掺杂主体中的任意一种。7.根据权利要求6所述的一种基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层OLEDs，其特征在于：所述客体选自红光IrMDQ2acac、绿光Irppy2acac、蓝光Firpic或橙光Irtptpy2acac，所述主体选自红光TCTA:Bepp2、绿光Bepp2、蓝光mCBP:PO-T2T或橙光TCTA:Bepp2。8.根据权利要求1所述的一种基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层OLEDs，其特征在于：所述电子注入层1或电子注入层2是由1.5纳米Liq和0.5纳米Al薄层组成。9.根据权利要求1所述的一种基于有机半导体异质结为电荷产生层的叠层OLEDs，其特征在于：所述Al阴极层的厚度大于100纳米。

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