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申请/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
摘要：本发明公开了一种多层InGaAs探测器材料结构和制备方法：所述探测材料结构由下往上依次为InP001衬底、n型InP缓冲层、i型晶格匹配的InGaAs吸收层、n型晶格匹配的InGaAs阻挡层和n型InP帽层。其中，所述的n型阻挡层的厚度为40nm～200nm，其掺杂浓度5x1015cm‑3～5x1017cm‑3，其材料为与InP晶格匹配的InGaAs。制备方法为依次分子束外延生长即可。本发明的InGaAs探测材料增加的n型阻挡层能够有效实现对扩散成结工艺的控制。
主权项：1.一种多层InGaAs探测器材料结构，其特征在于：所述探测材料结构自下往上依次为InP001衬底、n型InP缓冲层、i型晶格匹配的InGaAs吸收层、n型晶格匹配的InGaAs阻挡层和n型InP帽层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海技术物理研究所 一种多层InGaAs探测器材料结构和制备方法
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