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申请/专利权人：岭南师范学院
摘要：本发明涉及薄膜HFS的制备方法，包括如下步骤：采用HTCVD技术制备镍基合金表面CVD‑Al2O3薄膜结构，作为衬底：将衬底用丙酮、乙醇和去离子水清洗，去除表面的杂质和油污；在清洗后的CVD‑Al2O3衬底上，通过磁控溅射技术，沉积出ITOIn2O3热电堆，形成传感器的敏感层，ITO和In2O3分别作为热电堆的p型和n型材料，通过掩模形成交替排列的热电偶对；在敏感层的冷热端，通过磁控溅射技术，沉积出氧化铝和YSZ两种材料，形成传感器的热阻层；在热阻层的外侧，通过高温焊接技术，将导线与热电堆的冷热端连接，形成薄膜HFS的输出电路；提高膜层的高温绝缘性和稳定性，确保制备的薄膜HFS具有良好稳定的性能。
主权项：1.薄膜HFS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、衬底制作：采用HTCVD（高温化学气相沉积）技术制备镍基合金表面CVD-Al2O3薄膜结构，作为衬底；步骤二、清洗工艺：将CVD-Al2O3衬底用丙酮、乙醇和去离子水清洗，去除表面的杂质和油污；步骤三、溅射热堆、ITO和In2O3：在清洗后的CVD-Al2O3衬底上，通过磁控溅射技术，沉积出ITOIn2O3热电堆，形成传感器的敏感层，ITO和In2O3分别作为热电堆的p型和n型材料，通过掩模形成交替排列的热电偶对；步骤四、溅射热阻层：在敏感层的冷热端，通过磁控溅射技术，沉积出氧化铝和YSZ两种材料，形成传感器的热阻层；步骤五、焊线：在热阻层的外侧，通过高温焊接技术，将导线与热电堆的冷热端连接，形成薄膜HFS的输出电路。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 岭南师范学院 薄膜HFS的制备方法
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