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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明公开了一种半导体器件纳米线的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成浅沟道隔离区，浅沟道隔离区之间的半导体衬底为体硅鳍结构；选择性去除体硅鳍结构，使体硅鳍结构凹进以形成凹槽；在凹槽处沿半导体衬底表面垂直方向交替堆叠生长具有刻蚀选择性的多种外延层并进行表面平坦化；使浅沟道隔离区凹进以使交替堆叠生长的多种外延层突出于两侧的浅沟道隔离区；选择性刻蚀其中的一种或几种外延层，保留的外延层构成纳米线结构。还提供一种半导体器件纳米线。本发明通过在半导体衬底上交替堆叠生长不同材料的异质薄膜，减少薄膜中的缺陷，制备高质量纳米线结构，有利于不同类型的高迁移率材料导入和集成，提高器件的性能。
主权项：1.一种半导体器件纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成浅沟道隔离区，所述浅沟道隔离区之间的所述半导体衬底为体硅鳍结构；选择性去除所述体硅鳍结构，使所述体硅鳍结构凹进以形成凹槽；在所述凹槽处沿所述半导体衬底表面垂直方向交替堆叠生长具有刻蚀选择性的多种外延层，并进行表面平坦化；使所述浅沟道隔离区凹进，以使交替堆叠生长的多种所述外延层突出于两侧的所述浅沟道隔离区；选择性刻蚀其中的一种或几种所述外延层，保留的所述外延层构成纳米线结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种半导体器件纳米线及其制备方法
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