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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日：2019-01-16
公开（公告）日：2020-07-24
公开（公告）号：CN111443567A
专利技术分类：.具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺[2012.01]
专利摘要：一种光学邻近修正模型、光学邻近修正方法，所述光学邻近修正模型含有曲率校正项，所述曲率校正项适于表征物理晶圆上的图形轮廓上各位置在应力作用下的曲率变化量。本发明所述曲率校正项适于表征物理晶圆上的图形轮廓上各位置在应力作用下的曲率变化量，因此，通过所述OPC模型获得模拟图形后，即可在模拟图形中显示曲率异常的现象，以提高通过光学邻近修正模型所获得的模拟图形与物理晶圆上实际图形的匹配度，相应的，在对晶圆版图进行光学邻近修正时，能够根据模拟图形轮廓上各位置的实际曲率情况进行相应修正，从而提高了光学邻近修正的精准度。
专利权项：1.一种光学邻近修正模型，适于对晶圆版图进行光学邻近修正，其特征在于，所述光学邻近修正模型含有曲率校正项，所述曲率校正项适于表征物理晶圆上的图形轮廓上各位置在应力作用下的曲率变化量。
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