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申请/专利权人：博尔博公司
申请日：2020-02-12
公开（公告）日：2020-09-15
公开（公告）号：CN111668351A
专利技术分类：...在发光区中，例如量子限制结构或隧道势垒[2010.01]
专利摘要：本申请提供了包含一个或多个正电荷薄层或包含具有特定厚度的交替堆叠的AlGaN势垒和AlGaN势阱的异质结构。还提供了多量子阱结构和p型接触。所述异质结构、多量子阱结构和p型接触可用于发光器件和光电探测器。
专利权项：1.一种用于发光器件或光电探测器的异质结构，包括一个或多个p型掺杂AlGaN层，所述的一个或多个p型掺杂AlGaN层中的每一个包含插入其中的一个或多个正电荷薄层，其中，两个相邻的正电荷薄层之间的距离大于由所述的两个相邻的正电荷薄层中的任何一个生成的耗尽区的耗尽深度。
百度查询： 博尔博公司 异质结构以及采用异质结构的发光器件
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