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申请/专利权人:中锗科技有限公司
摘要:本发明公开了一种GaAsInGaP双结表面等离子体增强太阳能结构,包括从下到上依次相接的下电极、第一子电池、透明导电层、第二子电池和上电极;第一子电池为GaAs电池,包括从下到上依次相接的第一背场层、第一基层、第一发射层和第一窗口层;第二子电池为InGaP电池,包括从下到上依次相接的第二背场层、第二基层、第二发射层、第二窗口层和接触层;第一、第二背场层的下表面均具有金属纳米颗粒;接触层上表面上电极之外的部分覆盖有减反射膜层。上述结构包括两个子电池,并在两个电池的背电场中分别制作纳米金属颗粒,利用纳米金属颗粒表面等离子体共振所产生的表面局域增强效应,增加各子电池对相应波段的吸收利用;同时还可增加底电池吸收的光程,提高太阳能转换效率。
主权项:1.一种GaAsInGaP双结表面等离子体增强太阳能结构,其特征在于:包括从下到上依次相接的下电极、第一子电池、透明导电层、第二子电池和上电极;第一子电池为GaAs电池,GaAs电池包括从下到上依次相接的第一背场层、第一基层、第一发射层和第一窗口层,第一背场层的下表面分布有金属纳米颗粒;第二子电池为InGaP电池,第二子电池包括从下到上依次相接的第二背场层、第二基层、第二发射层、第二窗口层和接触层,第二背场层的下表面分布有金属纳米颗粒;接触层上表面上电极之外的部分覆盖有减反射膜层。
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百度查询: 中锗科技有限公司 一种GaAs/InGaP双结表面等离子体增强太阳能结构
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