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申请/专利权人：杭州电子科技大学
摘要：本发明公开了一种基于真空和手征原子媒质分界面的Kerr极化偏转分析方法，包括：S11.建立真空和手征原子媒质分界面的模型；S12.确定电磁波在真空和手征原子媒质分界面的电磁特性；S13.确定边界条件和初始条件；S14.根据边界和初始条件计算传输矩阵；S15.根据传输矩阵计算电磁波从真空入射到手征原子媒质分界面的反射系数；S16.分析真空和手征原子媒质分界面模型下的反射波极化偏转率和反射光相位差，得到真空和手征原子媒质分界面的Kerr极化偏转的特性。本发明根据极化偏转率分析真空和手征原子媒质分界面的Kerr极化偏转的方法，能准确地分析真空和手征原子媒质分界面的Kerr极化偏转特性。
主权项：1.基于真空和手征原子媒质分界面的Kerr极化偏转分析方法，其特征在于，包括：S1.建立真空和手征原子媒质分界面的模型；S2.确定电磁波在真空和手征原子媒质分界面的电磁特性；S3.确定边界条件和初始条件；S4.根据边界和初始条件计算传输矩阵；S5.根据传输矩阵计算电磁波从真空入射到手征原子媒质分界面的反射系数；S6.分析真空和手征原子媒质分界面模型下的反射波极化偏转率和反射光相位差，得到真空和手征原子媒质分界面的Kerr极化偏转的特性。
全文数据：
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百度查询： 杭州电子科技大学 基于真空和手征原子媒质分界面的Kerr极化偏转分析方法
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