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申请/专利权人：中芯长电半导体(江阴)有限公司
申请日：2020-02-19
公开（公告）日：2020-12-11
公开（公告）号：CN212136439U
专利技术分类：...引线位于绝缘衬底上的[2006.01]
专利摘要：本实用新型提供一种重新布线层，该结构包括：扩散阻挡层；金属线层，位于扩散阻挡层上，其中，金属线层的下端边缘不超过扩散阻挡层，且金属线层的下端呈弧形。通过对金属线层的下端进行整形，去除金属线层的下端的尖角凸部，以使金属线层的下端呈圆角化，可有效增大相邻金属线层之间的线间距，提高WLP的集成度；另外，消除了金属线层的下端的尖角凸部，可避免重新布线层尖端放电及相邻金属线层桥接的风险，提高了重新布线层的电学性能。
专利权项：1.一种重新布线层，其特征在于，所述重新布线层至少包括：扩散阻挡层；金属线层，位于所述扩散阻挡层上，其中，所述金属线层的下端边缘不超过所述扩散阻挡层，且所述金属线层的下端呈弧形。
百度查询： 中芯长电半导体(江阴)有限公司 重新布线层
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