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申请/专利权人：ASM IP私人控股有限公司
申请日：2019-05-29
公开（公告）日：2021-01-08
公开（公告）号：CN112204166A
专利技术分类：.局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的[2006.01]
专利摘要：公开了一种渗透设备。所述渗透设备可以包括：反应室，其被构造和布置成容纳其上具备可渗透材料的至少一个衬底；第一前体源，其被构造和布置成提供包含硅化合物的第一前体的蒸气；前体分布系统和去除系统，其被构造和布置成向所述反应室提供来自所述第一前体源的所述第一前体的蒸气并从所述反应室去除所述第一前体的蒸气；和顺序控制器，其可操作地连接到所述前体分布系统和去除系统，并且包含存储器，所述存储器具备一定程序以当在所述顺序控制器上运行时通过以下操作执行所述可渗透材料的渗透；启动所述前体分布系统和去除系统以将所述第一前体的蒸气提供到所述反应室中的所述衬底上的所述可渗透材料，由此使所述反应室中的所述衬底上的所述可渗透材料通过所述第一前体的蒸气与所述可渗透材料的反应而被硅原子渗透。还提供渗透方法和包括渗透材料的半导体装置结构。
专利权项：1.一种渗透设备，其包含：反应室，其被构造和布置成容纳其上具备可渗透材料的至少一个衬底；第一前体源，其被构造和布置成提供包含硅化合物的第一前体的蒸气；前体分布系统和去除系统，其被构造和布置成向所述反应室提供来自所述第一前体源的所述第一前体的蒸气并从所述反应室去除所述第一前体的蒸气；和顺序控制器，其可操作地连接到所述前体分布系统和去除系统，并且包含存储器，所述存储器具备一定程序以当在所述顺序控制器上运行时通过以下操作执行所述可渗透材料的渗透；启动所述前体分布系统和去除系统以将所述第一前体的蒸气提供到所述反应室中的所述衬底上的所述可渗透材料，由此使所述反应室中的所述衬底上的所述可渗透材料通过所述第一前体的蒸气与所述可渗透材料的反应而被硅原子渗透。
百度查询： ASM IP私人控股有限公司 渗透设备和渗透可渗透材料的方法
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