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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司

申请日：2020-09-25

公开（公告）日：2021-01-15

公开（公告）号：CN212365969U

专利技术分类：..其衬底为非半导体的，例如为绝缘体的[2006.01]

专利摘要：本实用新型提供一种背板。所述背板包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阵列分布的像素结构；所述像素结构包括电源线、行列交错的栅线和数据线，位于所述衬底基板上的所述背板的阳极、与所述阳极电连接的驱动晶体管，以及，与所述驱动晶体管电连接的开关晶体管；所述驱动晶体管的有源层图形中的沟道的宽度方向为所述行方向，所述沟道在所述行方向上，由位于所述像素结构一侧的数据线向位于所述像素结构另一侧的所述电源线延伸。本实用新型提供的像素结构可以降低像素结构的面积提高TFT薄膜晶体管的宽长比，以提升驱动晶体管的驱动能力并提高背板的分辨率。

专利权项：1.一种背板，其特征在于，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的阵列分布的像素结构；所述像素结构包括电源线、行列交错的栅线和数据线，位于所述衬底基板上的所述背板的阳极、与所述阳极电连接的驱动晶体管，以及，与所述驱动晶体管电连接的开关晶体管；所述栅线沿阵列的行方向延伸，且位于像素结构的靠近下一行像素结构的一侧；所述数据线沿所述阵列的列方向延伸，所述电源线包括沿列方向延伸的电源线；所述数据线和所述沿列方向延伸的电源线位于所述像素结构的相对的两侧；在所述像素结构所在的像素区域中，所述驱动晶体管和所述开关晶体管沿列方向依次设置；所述驱动晶体管的栅极在行方向上由所述数据线向所述电源线方向延伸，所述驱动晶体管的栅极在列方向上由上一行像素结构的栅线向所述开关晶体管的方向延伸；所述驱动晶体管的有源层图形中的沟道的宽度方向为所述行方向，所述沟道在所述行方向上，由位于所述像素结构一侧的数据线向位于所述像素结构另一侧的所述电源线延伸；所述驱动晶体管的源极和所述驱动晶体管的漏极分别沿行方向延伸，且所述驱动晶体管的源极和所述驱动晶体管的漏极沿列方向依次排列；所述驱动晶体管的栅极与所述开关晶体管的漏极相连，所述驱动晶体管的源极与所述电源线电连接，所述驱动晶体管的漏极与所述阳极电连接；所述开关晶体管的源极与所述数据线电连接，所述开关晶体管的栅极与所述栅线电连接。

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