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一种减少芯片电子辐射损伤的方法和受电子辐射损伤较小的芯片专利

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申请/专利权人:华东师范大学

申请日:2020-12-28

公开(公告)日:2021-04-20

公开(公告)号:CN112687605A

专利技术分类:..用于支承或夹紧的(用于定位、定向或对准的入H01L21/68)[2006.01]

专利摘要:本发明提供了一种减少芯片电子辐射损伤的方法和受电子辐射损伤较小的芯片,属于电镜表征技术领域。本发明在芯片的表面镀覆单分子有机薄膜,由于厚度很薄,能够不影响显微仪器观察芯片内部结构;本发明的有机薄膜绝缘,因此能够减少电子束损伤。此外,本发明的单分子有机薄膜还能够隔绝空气,防止因在空气中长时间放置产生的氧化问题。

专利权项:1.一种减少芯片电子辐射损伤的方法,其特征在于,在芯片的表面镀覆单分子有机薄膜,所述单分子有机薄膜的成分为聚甲基丙烯酸甲酯、聚偏二氟乙烯、聚氯乙烯、聚醚砜、聚苯乙烯、聚丙烯、聚乙烯或聚丙烯腈;所述单分子有机薄膜的层数为1~3层。

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