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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供了一种COMS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法，包括：制作集成有N型器件和P型器件的半导体器件；在所述半导体器件表面涂覆一层氧化层；利用第一光罩刻蚀掉核心NMOS管和核心PMOS管所在区域的氧化层；利用第二光罩向核心NMOS管及输入输出PMOS管进行第一N型LDD离子注入及第一P型袋状离子注入；利用第三光罩向核心PMOS管及输入输出NMOS管进行第二N型LDD离子注入及第二P型袋状离子注入。利用核心NPMOSLDD轻掺杂与输入输出NPMOSLDD轻掺杂离子注入深度的不同，通过第一层光罩使得核心NPMOS区域和输入输出NPMOS区域表层氧化厚度不一样，从而使得在使用第二光罩和第三光罩进行离子注入的时候得到能够同时满足核心MOS和输入输出MOS需求的轻掺杂。
主权项：1.一种COMS生产工艺中节省轻掺杂光罩数的方法，其特征在于，包括：制作集成有N型器件和P型器件的半导体器件，所述N型器件包括核心NMOS管、输入输出NMOS管，所述P型器件包括核心PMOS管、输入输出PMOS管；在所述半导体器件表面涂覆一层氧化层；利用第一光罩刻蚀掉所述核心NMOS管和所述核心PMOS管所在区域的氧化层；利用第二光罩向所述核心NMOS管及所述输入输出PMOS管进行第一N型LDD离子注入及第一P型袋状离子注入，以在所述核心NMOS管栅极结构两侧的衬底上形成第一超浅结及第一袋状结构，在所述输入输出PMOS管栅极结构两侧的衬底上形成第二超浅结；利用第三光罩向所述核心PMOS管及所述输入输出NMOS管进行第二N型LDD离子注入及第二P型袋状离子注入，以在所述核心PMOS管栅极结构两侧的衬底上形成第三超浅结及第二袋状结构，在所述输入输出NMOS管栅极结构两侧的衬底上形成第四超浅结。
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权利要求：
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