龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心)
摘要：本发明公开了一种AlCrSiNMo自润滑薄膜的复合磁控溅射制备方法，属于薄膜制备技术领域。该AlCrSiNMo自润滑薄膜是采用高功率脉冲磁控溅射技术和脉冲直流磁控镀膜技术在基体上制备而成，制备过程为：降低偏压至‑50～‑150V，N2流量50～150sccm，Ar流量50～250sccm，N2和Ar总流量300sccm，沉积压强1.0～2.5Pa，CrMo靶溅射功率0.1～0.9kW，AlCrSi靶功率0.2～1.5kW。所制备的AlCrSiNMo自润滑薄膜硬度高、韧性好，具备优良的减磨特性，可以显著降低刀‑屑间的摩擦，具有较好的化学稳定性及易剪切的润滑特性。
主权项：1.一种AlCrSiNMo自润滑薄膜的复合磁控溅射制备方法，其特征在于：所述AlCrSiNMo自润滑薄膜是将Mo元素掺杂进AlCrSiN薄膜中形成，按原子百分比计，所述AlCrSiNMo自润滑薄膜的化学组成为：Al14.3~25.5at.%，Cr14.3~36.2at.%，Si1.6~3.4at.%，N33.6~56.9at.%，Mo0.3~6.3at.%；该AlCrSiNMo自润滑薄膜是采用高功率脉冲磁控溅射技术和脉冲直流磁控镀膜技术在基体上制备而成，具体包括如下步骤：（1）将基体固定于真空室内旋转架上，然后将真空室的基底压强抽至3.0×10-3Pa以下，CrMo靶连接在高功率脉冲电源上，AlCrSi靶连接在脉冲直流电源上；（2）基体先进行辉光清洗，以除去表面杂质；然后进行离子轰击，以提高膜基结合力；（3）制备CrN过渡层；（4）制备AlCrSiNMo自润滑薄膜：制备CrN过渡层后降低偏压至-50~-150V，再通入反应气体N2流量为50~150sccm，Ar流量为50~250sccm，N2和Ar总流量为300sccm，通过调节节流阀使沉积压强保持在1.0~2.5Pa，采用CrMo靶溅射功率为0.1~0.9kW，AlCrSi靶功率0.2~1.5kW，获得AlCrSiNMo自润滑薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 天津职业技术师范大学(中国职业培训指导教师进修中心) 一种AlCrSiN/Mo自润滑薄膜的复合磁控溅射制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号