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申请/专利权人：株式会社东芝;铠侠股份有限公司;国立大学法人东北大学
申请日：2020-01-15
公开（公告）日：2021-06-18
公开（公告）号：CN112997281A
专利技术分类：.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择[2006.01]
专利摘要：根据实施方式，本申请提供一种判定方法。判定方法对在使包含硅及卤素的物质反应或者使包含硅的物质与包含卤素的物质反应的工序中产生的副产物的处理的进行判定。副产物的处理包括使包含水的处理液与副产物接触而得到第一固形物。判定方法包括基于关于第一固形物的Si‑α键α为选自由F、Cl、Br及I构成的组中的至少1种及Si‑H键中的至少一者的利用化学分析的信号来判定副产物的处理的进行。
专利权项：1.一种判定方法，其是对在使包含硅及卤素的物质反应或者使包含硅的物质与包含卤素的物质反应的工序中产生的副产物的处理的进行判定的判定方法，其中，所述副产物的处理包括使包含水的处理液与所述副产物接触而得到第一固形物，所述判定方法包括基于关于所述第一固形物的Si-α键及Si-H键中的至少一者的利用化学分析的信号来判定所述副产物的处理的进行，α为选自由F、Cl、Br及I构成的组中的至少1种。
百度查询： 株式会社东芝 铠侠股份有限公司 国立大学法人东北大学 判定方法及处理方法
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