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申请/专利权人：博尔博公司
申请日：2020-02-12
公开（公告）日：2021-11-26
公开（公告）号：CN113707774A
专利技术分类：...在发光区中，例如量子限制结构或隧道势垒[2010.01]
专利摘要：本申请提供了包含一个或多个正电荷薄层或包含具有特定厚度的交替堆叠的AlGaN势垒和AlGaN势阱的异质结构。还提供了多量子阱结构和p型接触。所述异质结构、多量子阱结构和p型接触可用于发光器件和光电探测器。
专利权项：1.一种发光器件，包括：n型AlGaN结构；p型AlGaN结构；夹设于所述n型AlGaN结构与所述p型AlGaN结构之间的有源区；以及，形成在所述p型AlGaN结构上的p型接触层，其中，所述p型接触层包括：第一势垒；在所述第一势垒上形成的第一AlInGaN势阱；在所述第一AlInGaN势阱上形成的第二AlGaN势垒；以及，在所述第二AlGaN势垒上形成的第二AlInGaN势阱；其中，所述第一AlGaN势垒的Al组分与所述第一AlInGaN势阱的Al组分之差等于或大于0.6，并且所述第二AlGaN势垒的Al组分与所述第二AlInGaN势阱的Al组分之差等于或大于0.6。
百度查询： 博尔博公司 异质结构以及采用异质结构的发光器件
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