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申请/专利权人：博尔博公司
申请日：2021-06-22
公开（公告）日：2022-04-12
公开（公告）号：CN114335269A
专利技术分类：...在发光区中，例如量子限制结构或隧道势垒[2010.01]
专利摘要：一种发光二极管，包括：n型结构、p型结构以及夹在n型结构和p型结构之间的有源区；形成在p型结构上的p‑接触层；以及形成在p‑接触层上的厚度在0.2‑100nm范围内的P‑欧姆接触，其中，p‑欧姆接触包括一层或多层金属氧化物。
专利权项：1.一种发光二极管，包括：n型结构、UV透明的p型结构以及夹在所述n型结构和所述UV透明的p型结构之间的有源区；UV透明的p-接触层，其形成在所述UV透明的p型结构上；以及厚度在0.2-100nm范围内的P-欧姆接触，其形成在所述p-接触层上，其中，所述p-欧姆接触包括一层或多层金属氧化物。
百度查询： 博尔博公司 P-欧姆接触结构和使用该P-欧姆接触结构的发光器件
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