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申请/专利权人：旺宏电子股份有限公司
摘要：一种电阻式存储器累进电阻特性的控制方法，包括：对一电阻式存储器元件施加一第一写入脉冲集合，以获取一参考累进电阻分布；根据参考累进电阻分布对电阻式存储器元件施加第二写入脉冲集合，使电阻式存储器元件具有一预设累进电阻分布。
主权项：1.一种电阻式存储器累进电阻特性的控制方法，该方法通过对一电阻式存储器元件施加一写入脉冲集合，使该电阻式存储器元件具有一预设累进电阻分布，具体包括：对该电阻式存储器元件施加一第一写入脉冲集合获取一参考累进电阻分布；以及根据该参考累进电阻分布，对该电阻式存储器元件施加一第二写入脉冲集合，以使该电阻式存储器元件具有该预设累进电阻分布；其中，该预设累进电阻分布为一线性函数。
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百度查询： 旺宏电子股份有限公司 电阻式存储器元件累进电阻特性的控制方法
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