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申请/专利权人:博尔博公司
申请日:2020-02-12
公开(公告)日:2022-06-03
公开(公告)号:CN113707775B
专利技术分类:...在发光区中,例如量子限制结构或隧道势垒[2010.01]
专利摘要:本申请提供了包含一个或多个正电荷薄层或包含具有特定厚度的交替堆叠的AlGaN势垒和AlGaN势阱的异质结构。还提供了多量子阱结构和p型接触。所述异质结构、多量子阱结构和p型接触可用于发光器件和光电探测器。
专利权项:1.一种用于发光器件或光电探测器的异质结构,包括交替堆叠的n型掺杂AlbGa1-bN势垒和n型掺杂AlwGa1-wN势阱,其中,所述n型掺杂AlbGa1-bN势垒和所述n型掺杂AlwGa1-wN势阱中的每一个的厚度分别满足: 其中,Li是第i个AlbGa1-bN势垒或AlwGa1-wN势阱的厚度,NDi是所述第i个AlbGa1-bN势垒或AlwGa1-wN势阱的施主浓度,以cm-3为单位,b是所述第i个AlbGa1-bN势垒的Al组分,并且w是所述第i个AlwGa1-wN势阱的Al组分。
百度查询: 博尔博公司 异质结构以及采用异质结构的发光器件
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