买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
申请/专利权人:福州大学
摘要:本发明公开了一种柔性银铟双重梯度掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法,采用溶液法溶解单质及后硒化处理的方式制备薄膜,由不同银或铟掺杂浓度的CZTSSe薄膜叠层构成,银含量从上往下梯度降低,铟含量从下往上梯度降低,可用于柔性太阳电池。本发明制得的银铟双重梯度掺杂的CZTSSe薄膜中,从下往上为P+型—P型—P‑N+型的分布,薄膜内形成一个弱电场,这一电场促进空穴流向背接触界面、电子流向硫化镉和吸收层界面,增强对吸收层内部载流子的抽取能力,促进载流子的收集,提高了CZTSSe薄膜太阳电池的光电转换效率。
主权项:1.一种柔性银铟双重梯度掺杂的CZTSSe薄膜,其特征在于:薄膜由不同银或铟掺杂浓度的CZTSSe薄膜叠层构成,其中薄膜上部分为不同银掺杂浓度的CZTSSe薄膜,银含量从上往下梯度降低;下部分为不同铟掺杂浓度的CZTSSe薄膜,铟含量从下往上梯度降低;所述的柔性银铟双重梯度掺杂的CZTSSe薄膜的制备方法具体包括以下步骤:(1)清洗柔性衬底并烘干:(2)将单质铜、锌、锡、银或铟、硫、硒加入到乙二胺和乙二硫醇中,加热搅拌至溶解,调整银或铟的加入量,制备不同银掺杂浓度的CZTSSe前驱体溶液和不同铟掺杂浓度的CZTSSe前驱体溶液;(3)再在步骤(2)制备的CZTSSe前驱体溶液中加入稳定剂后,加热搅拌至溶解;(4)在步骤(1)处理后的柔性衬底上,将步骤(3)制备的CZTSSe前驱体溶液分批旋涂并退火,退火温度为250~350℃,制得预制层薄膜;(5)把预制层薄膜置于充满氮气的快速热退火炉中进行硒化处理,制得银铟双重梯度掺杂的CZTSSe薄膜;步骤(4)中分批旋涂并退火的具体操作如下:在步骤(1)处理后的柔性衬底上,先分批旋涂并退火不同铟掺杂浓度的CZTSSe前驱体溶液,铟含量梯度降低;再分批旋涂并退火不同银掺杂浓度的前驱体溶液,银含量梯度增加。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 福州大学 一种柔性银铟双重梯度掺杂的CZTSSe薄膜及其制备方法和应用
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。