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申请/专利权人:福州大学
摘要:本发明涉及一种柔性双阳离子掺杂的CZTSSe太阳电池界面钝化方法,其特征在于,在CZTSSeCdS异质结界面形成Li掺杂,实现晶界处纳米电场反转,钝化异质结界面缺陷,抑制载流子复合;在CZTSSeMo背接触界面形成Ge掺杂,实现能带调控,钝化背接触界面缺陷,抑制电子流向背接触界面,减小界面复合。该方法不仅有利于提高电池的光电转换效率,而且工艺简单、成本低廉、绿色环保,满足了大规模批量生产与商业化的需求,制备的柔性CZTSSe太阳电池可安装在非平面平台上,具有较强的推广与应用价值。
主权项:1.一种柔性双阳离子掺杂的CZTSSe太阳电池界面钝化方法,其特征在于,在CZTSSeCdS异质结界面形成Li掺杂,实现晶界处纳米电场反转,钝化异质结界面缺陷,抑制载流子复合;在CZTSSeMo背接触界面形成Ge掺杂,实现能带调控,钝化背接触界面缺陷,抑制电子流向背接触界面,减小界面复合;在CZTSSe太阳电池中,吸收层为在两侧分别掺杂Li和Ge的CZTSSe薄膜,在CZTSSeCdS异质结界面形成Li掺杂的浓度梯度,掺杂浓度从异质结界面到吸收层内部逐渐降低,在CZTSSeMo背接触界面形成Ge掺杂的浓度梯度,掺杂浓度从背接触界面到吸收层内部逐渐降低。
全文数据:
权利要求:
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