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申请/专利权人：浙江师范大学

摘要：本发明公开了一种氧化碲钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法，采用n型单晶硅，清洗后在硅片正面制绒，再在溴化硼扩散炉中进行硼掺杂，然后采用单面蚀刻工艺以去除硅片背面的金字塔结构和硼扩散层，采用热氧化法在硅片的正面和背面分别生长厚度约为1～2nm的氧化硅层，在硅片背面生长n型重掺杂多晶硅薄膜，再采用热蒸发法沉积厚度为20～50nm的氧化碲薄膜，最后在硅片前后表面沉积氧化铝和氮化硅层，并形成前接触和后接触金属栅线。本发明采用氧化碲取代p型重掺杂多晶硅，可以起到类似多晶硅的场钝化效应，同时氧化碲对可见光的高透过率可以减少电池前表面的寄生光学吸收。

主权项：1.氧化碲钝化接触晶硅太阳电池的制备方法，包括下述步骤：1硅片损伤层去除与清洗：采用n型单晶硅，首先，硅片放入浓度为20～30wt％的氢氧化钠水溶液，在80～85℃温度下加热2～5min，去除硅片在线切割过程产生的机械损伤层；其次，硅片放入体积比例为1:1:5的氨水、过氧化氢、水混合溶液中，在80℃温度下加热5～10min，然后用去离子水反复冲洗；第三，硅片放入体积比例为1:1:5盐酸、过氧化氢、水混合溶液中，在80℃温度下加热5～10min，并用去离子水反复冲洗；2在制绒液中对裸露的硅片正面进行制绒，形成金字塔的表面结构：硅片放入为1～3wt％的NaOH水溶液，在80～85℃温度下加热10～60min；3在溴化硼扩散炉中进行硼掺杂，在硅片正面形成p+发射极，扩散温度为900～1050℃，扩散时间为30～90min；4采用单面蚀刻工艺以去除硅片背面的金字塔结构和硼扩散层；5采用热氧化法在硅片的正面和背面分别生长厚度约为1～2nm的氧化硅层：把硅片放入高温炉的石英管内，通入氧气，在气压为0.1～1Torr、温度为800～900℃条件下，生长时间为5～30min；6利用等离子体增强化学气相沉积法在硅片背面生长厚度为90～120nm的n型重掺杂多晶硅薄膜；7采用热蒸发法沉积厚度为20～50nm的氧化碲薄膜：蒸发源由纯度大于99.999％的碲粉末与二氧化碲均匀混合后组成，混合的摩尔比为：Te:TeO2＝1:100～500；8采用原子层沉积法和等离子体化学气相沉积法，先后在硅片前表面沉积氧化铝和氮化硅层，形成正面钝化和抗反射层；背面多晶硅结构也用PECVD生长的氮化硅层覆盖；9将银铝和银浆料丝网印刷，然后在带式炉中烧结，分别形成前接触和后接触金属栅线。

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