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申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司

申请日：2021-12-23

公开（公告）日：2022-06-24

公开（公告）号：CN114664942A

专利技术分类：.....受场效应控制的[2006.01]

专利摘要：公开了RCIGBT以及生产RCIGBT的方法。RCIGBT1包括IGBT区段1‑21和二极管区段1‑22。二极管区段1‑22中的多个二极管台面18中的至少一些被经由电连接到RCIGBT1的发射极端子11的第二阳极区1062耦合到漂移区100。第二阳极区1062与二极管区段1‑22中的沟槽16相比沿着竖向方向Z延伸得更深。

专利权项：1.一种反向导通绝缘栅双极晶体管RCIGBT1，包括：-具有IGBT区段1-21和二极管区段1-22的有源区1-2；-半导体本体10，其具有第一侧110和第二侧120；-在第一侧110处的第一负载端子11和在第二侧120处的第二负载端子12；-多个控制沟槽14和多个源极沟槽16，所述多个沟槽14、16被沿着第一横向方向X彼此平行地布置并且沿着竖向方向Z延伸到半导体本体10中，其中所述多个源极沟槽16延伸到IGBT区段1-21和二极管区段1-22这两者中；-在半导体本体10中的多个IGBT台面17和多个二极管台面18，所述台面17，18是沿着第一横向方向X由所述多个沟槽14，16中的相应的两个沟槽在横向上界定的，其中○每个IGBT台面17包括：▪第一导电类型的源极区101，其电连接到第一负载端子11，以及▪第二导电类型的本体区102，其电连接到第一负载端子11并且将源极区101与所述RCIGBT1的另一第一导电类型区100隔离；○每个二极管台面18包括：▪第二导电类型的第一阳极区1061，其电连接到第一负载端子11；-在半导体本体10中和在第二侧120处包括如下这两者：○第一导电类型的二极管发射极区104，其形成二极管区段1-22的一部分并且在第一横向方向X上呈现总计为漂移区厚度的至少50%或者总计为半导体本体厚度d的至少50%的横向延伸；以及○第二导电类型的IGBT发射极区103，其形成IGBT区段1-21的一部分并且在第一横向方向X上呈现总计为漂移区厚度的至少70%或者总计为半导体本体厚度d的至少70%的横向延伸；以及-在二极管区段1-22中包括电连接到第一负载端子11的第二导电类型的第二阳极区1062，其中第二阳极区1062○与二极管区段1-22中的沟槽14，16相比沿着竖向方向Z延伸得更深；以及○与二极管发射极区104在二极管发射极区104的水平区域的至少5%内重叠。

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