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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日：2020-01-02
公开（公告）日：2022-08-12
公开（公告）号：CN114895532A
专利技术分类：.曝光及其设备（复制用照相印制设备入G03B27/00）[2006.01]
专利摘要：本申请实施例公开一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记，其中，所述套刻标记方法包括：在第一材料层上形成N个第一标记，所述每个第一标记包括P个第一子标记，所述第一子标记的形状为通过多个块状图形而形成的长条状；在所述第一材料层之后形成第二材料层；在所述第二材料层上形成与每一所述第一标记一一对应的N个第二标记，所述每个第二标记包括Q个长条状的第二子标记；其中，N、P和Q均为大于1的整数，且P大于Q；其中，所述第一标记的宽度大于所述第二标记的宽度。
专利权项：1.一种套刻标记，其特征在于，包括：分别沿第一方向和第二方向各设置的至少一个第一标记列，所述第一标记列包括N个第一标记，每个所述第一标记包括多个第一子标记，所述第一子标记的形状为通过多个块状图形而形成的长条状；其中，所述第一方向和所述第二方向垂直；所述N为大于1的整数；分别沿所述第一方向和所述第二方向各设置的至少一个第二标记列，所述第二标记列包括与每一所述第一标记一一对应的N个第二标记，每个所述第二标记包括多个长条状的第二子标记；其中，所述第一标记列设置在第一材料层上，所述第二标记列设置在第二材料层上，所述第二材料层位于所述第一材料层之上；沿所述第一方向的第一标记列位于沿所述第一方向的第二标记列在所述第一材料层上的正投影的内侧，沿所述第二方向的第一标记列位于沿所述第二方向的第二标记列在所述第一材料层上的正投影的内侧，所述第一标记列和所述第二标记列在所述第一材料层上的正投影构成一个整体标记结构，所述内侧为靠近所述整体标记结构的中心点的位置处。
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 一种套刻标记方法、套刻测量方法及套刻标记
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