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申请/专利权人：湖北科技学院
摘要：本发明公开了基于Octonacci光子晶体与石墨烯复合结构及传感器，将单层石墨烯嵌入到Octonacci光子晶体中相邻两电介质薄片的分界面上，形成复合结构，其中字母A和B分别表示两种折射率不同的均匀电介质薄片，字母G表示单层石墨烯；各光子晶体中的字母A、B分别表示两种折射率不同的均匀电介质薄片；光从左边斜入射，入射角用θ表示；符号Ii表示入射光，Ir表示反射光，Io表示透射光；入射光为横磁波；其中，入射光为横磁波，入射角为θ；反射光相对于几何光学预测的位置，存在一定的横向位移。本发明的特点和有益效果在于：利用准光子晶体于石墨烯复合，利用光学分形效应和反射系数相位剧烈的变化，实现大的GH位移，定能得到在多个中心波长附近的高灵敏度波长传感器。
主权项：1.基于Octonacci光子晶体与石墨烯复合结构，其特征在于，两种折射率不同的均匀电介质薄片A和B以Octonacci序列规则排列，形成Octonacci光子晶体，单层石墨烯G镶嵌在Octonacci光子晶体中相邻两电介质薄片的分界面上，形成Octonacci光子晶体与石墨烯的复合结构；TM光从左边斜入射进所述复合结构，入射角用θ表示；符号Ii表示入射光，Ir表示反射光，Io表示透射光；所述Octonacci光子晶体与石墨烯复合结构支持两个或两个以上的光学分形共振态；石墨烯增强所述光学分形态的反射率；在所述光学分形态附近，随着归一化频率的变化，反射系数相位剧烈地波动，从而引起反射光束相对于几何光学预测位置的一个大的横向位移，即空间古斯-汉森位移；所述空间古斯-汉森位移是入射波长的函数，即：Δ=−dφrdky，其中ky=cosθλ2π，所述φr为反射系数相位，λ为波长。
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百度查询： 湖北科技学院 一种基于Octonacci光子晶体与石墨烯的复合结构及传感器
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