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申请/专利权人：寻找未来有限公司
摘要：一种晶体管装置，其为具有半导体结构的双极晶体管，所述结构包括与集极区及射极区相同的半导体类型的通道。所述通道比与之相交界的基极区更为浅薄。本发明结构能够改善电流增益，其亦能使晶体管装置在开启时，有选择地通过控制贯穿射极端子与集极端子间的电压，来实现单极传导或实现双极传导的工作模式。
主权项：1.一种晶体管装置1，具有：由第一类型半导体的第一区域104提供的集极区2；与所述集极区2关联的集极端子；由所述第一类型半导体的第二区域105提供的射极区3；与所述射极区3关联的射极端子；由位于所述集极区2与所述射极区3之间且与二者交界的半导体的第三区域101、103所提供的基极区4A、4B；与所述基极区关联的基极端子；其中，所述基极区4A、4B包括：第二类型半导体的次分区4A，以及，所述第一类型半导体的通道4B，其中，所述基极端子接触所述次分区4A；所述次分区4A与所述通道4B交界以提供第一二极管结面5，并且所述次分区4A与所述射极区3及所述集极区2二者交界以进一步形成数个二极管结面，所述通道4B与所述集极区2及所述射极区3两者交界并与两者互连；所述通道4B的净掺杂浓度小于所述射极区3与所述集极区2的净掺杂浓度；所述通道4B具有自远离所述第一二极管结面5所延伸而来的深度；以及，其特征在于在所述集极区2与所述射极区3之间存在足够小的间隔使得当在电路中实现时，其中贯穿所述射极端子与基极端子的电压导致电流通过所述基极端子，所述集极端子与所述射极端子间之间的电流至少主要归因于双极传导，所述间隔小于或等于1.5微米；以及所述次分区4A位于所述第一类型半导体的基板层100中。
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