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申请/专利权人：北京大学
摘要：本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上一次刻蚀形成有源结构；基于第一有源结构，形成堆叠晶体管的第一晶体管，第一晶体管包括第一栅极结构，第一栅极结构采用栅极替代工艺形成；倒片并去除半导体衬底；基于第二有源结构，形成堆叠晶体管的第二晶体管，第二晶体管包括第二栅极结构，第二栅极结构采用栅极替代工艺形成；堆叠晶体管还包括：栅极隔离结构，栅极隔离结构是在第一栅极结构和或第二栅极结构替代伪栅结构之前，在堆叠晶体管的栅极隔离区域内沉积形成的；栅极隔离结构用于电学隔离堆叠晶体管的栅极结构和与堆叠晶体管在第二方向上相邻的晶体管的栅极结构。
主权项：1.一种堆叠晶体管的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体衬底上一次刻蚀形成有源结构，所述有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，所述第一有源结构和所述第二有源结构在第一方向上堆叠，所述第一有源结构相比于所述第二有源结构远离所述半导体衬底结构，所述第一方向为垂直于所述半导体衬底的方向；基于所述第一有源结构，形成所述堆叠晶体管的第一晶体管，所述第一晶体管包括第一栅极结构，所述第一栅极结构采用栅极替代工艺形成，所述栅极替代工艺包括金属栅极替代伪栅结构的步骤；倒片并去除所述半导体衬底；基于所述第二有源结构，形成所述堆叠晶体管的第二晶体管，所述第二晶体管包括第二栅极结构，所述第二栅极结构采用栅极替代工艺形成；所述堆叠晶体管还包括：栅极隔离结构，所述栅极隔离结构是在所述第一栅极结构和或所述第二栅极结构替代伪栅结构之前，在所述堆叠晶体管的栅极隔离区域内沉积形成的；所述栅极隔离区域在第二方向上位于所述堆叠晶体管的两侧，且在第三方向上至少与所述堆叠晶体管的栅极区域重合，所述第二方向与所述第一方向垂直，所述第三方向与所述第一方向、所述第二方向垂直；所述栅极隔离结构用于电学隔离所述堆叠晶体管的栅极结构和与所述堆叠晶体管在第二方向上相邻的晶体管的栅极结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件
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