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申请/专利权人：出光兴产株式会社
摘要：一种溅射靶1，是具备包含In元素、Ga元素及O元素的氧化物烧结体的溅射靶，所述烧结体包含以In2O3表示的晶体结构，所述氧化物烧结体中的所述Ga元素的原子组成比满足下述式1：8≤GaIn+Ga≤20…1，所述氧化物烧结体的抗折强度为140MPa以上。
主权项：1.一种溅射靶，是具备包含In元素、Ga元素及O元素的氧化物烧结体的溅射靶，其特征在于，所述氧化物烧结体包含以In2O3表示的晶体结构，所述氧化物烧结体中的所述Ga元素的原子组成比满足下述式1，所述氧化物烧结体的抗折强度为140MPa以上，8≤GaIn+Ga≤20…1。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 出光兴产株式会社 溅射靶、溅射靶的制造方法、晶体氧化物薄膜、薄膜晶体管及电子设备
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