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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院;北京大学
摘要：本发明公开了一种小尺寸的氧化物半导体刻蚀方法，属于信息材料与器件技术领域。本发明首先通过低温工艺得到纳米线材料，再通过自氧化结合自限制刻蚀的方法进一步微缩纳米线的直径，在小尺寸上实现氧化物半导体的自对准、高精度刻蚀。相较于传统的依赖DUV、EUV等设备曝光精度的其他掩膜刻蚀，本发明解决了现有氧化物半导体器件存在的尺寸微缩问题，可以提升集成电路密度，且极大的降低对光刻设备的需求，有效降低工艺成本。
主权项：1.一种小尺寸的氧化物半导体刻蚀方法，其特征在于，其步骤包括：步骤1在待刻蚀的氧化物半导体材料上制备非晶硅层；步骤2在低温度下退火，利用氧化物半导体材料中的金属，诱导非晶硅层横向结晶，形成多晶硅；步骤3采用热氧化、氧等离子处理使多晶硅的表层氧化为SiO2，再采用高选择比的干法刻蚀方法去除表层SiO2，重复数次，缩减至所需的直径，形成硅纳米线；步骤4以步骤3得到的硅纳米线为硬掩膜，采用湿法或干法刻蚀方法进行氧化物半导体材料刻蚀；步骤5采用具有塑形功能的离子束刻蚀，在不损伤氧化物半导体材料的情况下去除硅纳米线硬掩膜。
全文数据：
权利要求：
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