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申请/专利权人：中国科学院空天信息创新研究院
摘要：一种提升钴基Heusler合金结构有序化的制备方法，包括以下步骤：样品基板清洗；低蒸汽压元素与钴基Heusler合金进行共溅射成膜；高真空退火处理。本发明提出了使用低蒸汽压元素掺杂后退火的方法来提高钴基Heusler合金薄膜材料的性能，使其具有高结晶度、低温有序化、高自旋极化率的优点。
主权项：1.一种提升钴基Heusler合金结构有序化的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：样品基板清洗；低蒸汽压元素与钴基Heusler合金进行共溅射成膜，使用钴基Heusler合金靶材和低蒸汽压元素单质靶材，利用共聚焦磁控溅射的方法，在样品基板上制备低蒸汽压元素掺杂后的钴基Heusler合金薄膜材料，其中，所述低蒸汽压元素为锌元素，所述钴基Heusler合金薄膜材料为Co2FeGa0.5Ge0.5；高真空退火处理，其中，所述高真空退火处理的步骤中，制备所得的薄膜材料在真空度为10-7Pa的超高真空溅射腔室中进行600摄氏度的退火处理，退火时间为30分钟。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院空天信息创新研究院 钴基Heusler合金结构及提升其有序化的制备方法
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