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申请/专利权人:成都辰显光电有限公司
申请日:2019-01-18
公开(公告)日:2022-09-27
公开(公告)号:CN111463144B
专利技术分类:.专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置[2006.01]
专利摘要:本发明涉及半导体器件制造技术领域,具体公开了一种扩晶设备及扩晶方法,该扩晶设备包括载膜、调节平台以及弧度调节组件,载膜用于承载若干晶元;调节平台用于承载若干吸附组件,所述吸附组件用于吸附所述晶元;弧度调节组件分别作用于所述载膜和所述调节平台,用于调节所述载膜和所述调节平台的弯曲弧度。通过调整载膜和调节平台的弧度,再结合吸附组件来调整晶元的位置,以扩大晶元之间的间距,实现扩晶目的,扩晶面积得到一定程度的扩张。
专利权项:1.一种扩晶设备,其特征在于,包括:载膜1,用于承载若干晶元2;调节平台3,用于承载若干吸附组件4;所述吸附组件4用于吸附所述晶元2,以及将吸附起的所述晶元2放置于调节后的所述载膜1上;弧度调节组件5,分别作用于所述载膜1和所述调节平台3,用于调节所述载膜1和所述调节平台3的弯曲弧度,以使与所述调节平台3相连的若干吸附组件4与若干晶元2一一对位。
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