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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日：2021-05-18
公开（公告）日：2022-11-22
公开（公告）号：CN115369379A
专利技术分类：...氮化物[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线，其中，该制备方法包括：在衬底上制备二维材料层，得到复合生长模板；在复合生长模板的二维材料层上制备金属薄膜层；将带有金属薄膜层的复合生长模板设置于生长设备中，生长GaN纳米线。
专利权项：1.一种GaN纳米线的制备方法，包括：在衬底上制备二维材料层，得到复合生长模板；在所述复合生长模板的二维材料层上制备金属薄膜层；将带有所述金属薄膜层的所述复合生长模板设置于生长设备中，生长GaN纳米线。
百度查询： 中国科学院半导体研究所 GaN纳米线的制备方法和GaN纳米线
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