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申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日：2022-06-22
公开（公告）日：2022-12-27
公开（公告）号：CN115528196A
专利技术分类：
专利摘要：提供一种驱动电压的升高得到抑制的受光器件。此外，提供一种受发光装置。提供如下受光器件：一种包括一对电极间的受光层的发光器件，其中受光层包括活性层、缓冲层及电子传输层，缓冲层位于活性层和电子传输层之间并与活性层接触，缓冲层包含具有吸电子基团的有机化合物；或者一种包括一对电极间的受光层的发光器件，其中受光层包括活性层、缓冲层及电子传输层，缓冲层位于活性层和电子传输层之间并与活性层接触，缓冲层包含具有吸电子基团的杂芳族化合物。
专利权项：1.一种受光器件，包括：一对电极间的受光层，其中，所述受光层包括活性层、缓冲层及电子传输层，所述缓冲层位于所述活性层和所述电子传输层之间并与所述活性层接触，并且，所述缓冲层包含具有吸电子基团的有机化合物。
百度查询： 株式会社半导体能源研究所 受光器件、受发光装置
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