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申请/专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所

摘要：本发明涉及一种基于极限探测星等灵敏度的星敏感器辐射损伤评估方法，该方法中涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、样品调整转台、样品测试板、互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品、直流电源、计算机、平行光管、自准直经纬仪、单星模拟器和成像镜头组成，利用自准直经纬仪将固定在样品测试板上的成像镜头和平行光管对齐在一条直线上，然后将单星模拟器调到5等星，通过成像镜头对模拟单星星点成像，同时调节光学镜头，使星点成像清晰，再通过暗场测试和亮场测试，计算得到不同累积辐射剂量下不同星等的单个星点信噪比SNR，即得到了不同累积辐射剂量下星敏感器的极限探测星等灵敏度。通过本发明所述方法可以准确评估星敏感器在不同累积辐射剂量下辐射损伤，方法简单快速，实用性强。

主权项：1.一种基于极限探测星等灵敏度的星敏感器辐射损伤评估方法，其特征在于，该方法中涉及装置是由静电试验平台、积分球光源、样品调整转台、样品测试板、互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品、直流电源、计算机、平行光管、自准直经纬仪、单星模拟器和成像镜头组成，在静电试验平台1上分别设有积分球光源2和样品调整转台3，在样品调整转台3上固定有样品测试板4，在样品测试板4上放置互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品5，在样品测试板4上固定成像镜头11，样品测试板4分别与积分球光源2和直流电源6连接，在静电试验平台1的两侧分别设有平行光管8、自准直经纬仪9和单星模拟器10，平行光管8与单星模拟器10连接，自准直经纬仪9和平行光管8对准，静电试验平台1与计算机7连接，具体操作按下列步骤进行：a、利用自准直经纬仪9将固定在样品测试板4上的成像镜头11与平行光管8对齐在一条直线上；b、将经过辐照后的互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品5固定在样品测试板4上，再将样品测试板4分别与直流电源6和计算机7相连，将单星模拟器10调到5等星，通过成像镜头11对模拟单星星点成像，同时调节光学镜头，使星点成像清晰；c、开始进行暗场测试，暗场测试时需关闭测试室中所有照明光源，计算机采集50幅星图，将这50幅星图的背景灰度值取平均值，得到星图的背景散粒噪声d、利用步骤c采集到的50幅星图，将这50幅图中单个星点的灰度值取平均值得到星点的目标散粒噪声e、打开积分球光源2，并保持测试室中其他照明光源关闭，将积分时间设为能使互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品5像素输出的灰度值达到50％饱和灰度值，开始进行亮场测试，计算机7采集50幅图；f、利用步骤c暗场测试和步骤e亮场测试采集的图像，计算辐照后互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品5的暗电流噪声NDC、固定模式噪声NFPN、暗信号非均匀性噪声NDSNU和读出噪声Nread；g、将单星模拟器10调到其他星等，重复步骤c、d、e计算不同星等下互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品5光响应非均匀性噪声NPRNU以及星图的背景散粒噪声和目标散粒噪声h、取下固定在样品测试板4上的互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品5，换上不同累积剂量的互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品5，重复步骤b、c、d、e和f，计算得到不同累积剂量、不同星等下互补金属氧化物半导体有源像素传感器样品5的总噪声ND；i、计算不同累积辐射剂量下不同星等的单个星点信噪比SNR；j、统计每个累积辐射剂量下单个星点信噪比SNR首次出现小于5时的探测星等m1；k、将步骤j算出的探测星等m1减去0.1，即得到了星敏感器的极限探测星等灵敏度。

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