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申请/专利权人：航天科工(长沙)新材料研究院有限公司
申请日：2022-11-30
公开（公告）日：2023-04-14
公开（公告）号：CN218860962U
专利技术分类：..金刚石[2006.01]
专利摘要：本实用新型涉及到一种防止MPCVD设备内部放电的装置、MPCVD设备，其中防止MPCVD设备内部放电的装置包括：屏蔽环，所述屏蔽环的下部与MPCVD设备的水冷台相适配，所述屏蔽环的上内侧壁与所述MPCVD设备上的基片台的上表面贴合，所述屏蔽环的竖向内壁覆盖所述水冷台与所述基片台之间的缝隙。本申请提供的防止MPCVD设备内部放电的装置、MPCVD设备，能避免基片台与水冷台的下方容易出现放电的情况，使得MPCVD设备内部的温度场和等离子体密度分布均匀，提高金刚石稳定生长过程中等离子体的稳定性，进而提高金刚石的生长质量。
专利权项：1.防止MPCVD设备内部放电的装置，其特征在于，包括：屏蔽环2，所述屏蔽环2的下部与MPCVD设备的水冷台4相适配，所述屏蔽环2的上内侧壁与所述MPCVD设备上的基片台3的上表面贴合，所述屏蔽环2的竖向内壁覆盖所述水冷台4与所述基片台3之间的缝隙。
百度查询： 航天科工(长沙)新材料研究院有限公司 防止MPCVD设备内部放电的装置、MPCVD设备
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