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申请/专利权人:航科新世纪科技发展(深圳)有限公司
摘要:本发明公开了一种晶圆通孔结构的金属填充方法,包括如下步骤:在第一晶圆中制备通孔;在第二晶圆的表面依次沉积光刻胶层和导电层;将第一晶圆和第二晶圆紧固在一起,使得所述导电层与所述第一晶圆中通孔的底面抵接;将第一晶圆和第二晶圆放置在电铸液中进行电铸金属填充,使得电铸金属自通孔底部至通孔顶部填充在通孔内;将第一晶圆和第二晶圆浸泡在去胶溶剂中进行分离,去除通孔外部的电铸金属和导电层,获得电铸金属填充的晶圆通孔结构。本发明提供的一种晶圆通孔结构的金属填充方法,不必采用复杂的第二晶圆键合工艺,能够形成稳定的底面支撑及导电层支撑结构,同时第一晶圆和第二晶圆易于分离,适用于任意尺寸和形状的通孔金属填充。
主权项:1.一种晶圆通孔结构的金属填充方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:在第一晶圆中制备通孔;在第二晶圆的表面依次沉积光刻胶层和导电层;S2:将第一晶圆和第二晶圆紧固在一起,使得所述导电层与所述第一晶圆中通孔的底面抵接;S3:将第一晶圆和第二晶圆放置在电铸液中进行电铸金属填充,使得电铸金属自通孔底部至通孔顶部填充在通孔内;S4:将第一晶圆和第二晶圆浸泡在去胶溶剂中进行分离,去除通孔外部的电铸金属和导电层,获得电铸金属填充的晶圆通孔结构。
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权利要求:
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