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申请/专利权人：上海先进半导体制造有限公司
申请日：2018-06-29
公开（公告）日：2023-06-13
公开（公告）号：CN110660667B
专利技术分类：......晶体管[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种IGBT制作方法及IGBT。其中，所述IGBT为平面型IGBT或沟槽型IGBT，所述IGBT制作方法包括：制作IGBT的正面结构，其中，包括在硅中掺杂第一离子以形成p+区，所述第一离子的扩散系数高于硼离子的扩散系数；制作IGBT的背面结构。本发明在制作p+区时，采用掺杂比硼离子扩散系数大的第一离子，如铝离子或镓离子，替代了现有技术中掺杂硼离子，能够在较低温度、较短时间内形成比扩散硼离子的方式更深、更宽、更渐变的PN结，使得制成的IGBT相比于现有的IGBT进一步提升了抗闩锁能力，具有更高的反向击穿电压和更短的存储时间，提高了IGBT的稳定性，并且具有一定的成本优势。
专利权项：1.一种IGBT制作方法，其特征在于，所述IGBT为平面型IGBT或沟槽型IGBT，所述IGBT制作方法包括：制作IGBT的正面结构，其中，包括在硅中掺杂第一离子以形成p+区，所述第一离子的扩散系数高于硼离子的扩散系数；制作IGBT的背面结构；所述在硅中掺杂第一离子的步骤实施于形成n+源区之后且在形成金属电极之前；其中，对于所述平面型IGBT，所述p+区形成于所述平面型IGBT的p阱内，且位于所述平面型IGBT的n+源区的外侧；对于所述沟槽型IGBT，所述p+区形成于所述沟槽型IGBT的p型基区内，且位于所述沟槽型IGBT的n+源区的外侧；所述IGBT制作方法还包括：在通过掺杂第一离子形成的所述p+区上覆盖一层硼。
百度查询： 上海先进半导体制造有限公司 IGBT制作方法及IGBT
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