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申请/专利权人：上海交通大学
摘要：本发明涉及一种基于OTFT电路驱动Micro‑LED显示的集成结构。所述基于OTFT电路驱动Micro‑LED显示的集成结构包括：衬底；Micro‑LED芯片，位于衬底上，包括沿垂直于衬底的方向依次叠置的缓冲层、N‑GaN层、多量子阱层、P‑GaN层和芯片阳极；第一封装层，覆盖衬底并包覆Micro‑LED芯片；OTFT显示驱动电路，位于第一封装层上，用于驱动Micro‑LED芯片显示成像，OTFT显示驱动电路与Micro‑LED芯片错开设置或者OTFT显示驱动电路与Micro‑LED芯片对准设置，且OTFT显示驱动电路的制程温度低于200℃；第二封装层，至少包覆OTFT显示驱动电路；OTFT显示驱动电路的全部工艺采用单片集成的方式直接制备于第一封装层之上。本发明有利于实现高良率、低成本的Micro‑LED的有源矩阵驱动。
主权项：1.一种基于OTFT电路驱动Micro-LED显示的集成结构，其特征在于，包括：衬底；Micro-LED芯片，位于所述衬底上，包括沿垂直于所述衬底的方向依次叠置的缓冲层、N-GaN层、多量子阱层、P-GaN层和芯片阳极；第一封装层，覆盖所述衬底并包覆所述Micro-LED芯片；OTFT显示驱动电路，位于所述第一封装层上，用于驱动所述Micro-LED芯片显示成像，所述OTFT显示驱动电路与所述Micro-LED芯片错开设置或者所述OTFT显示驱动电路与所述Micro-LED芯片对准设置，且所述OTFT显示驱动电路的制程温度低于200℃；第二封装层，至少包覆所述OTFT显示驱动电路；所述OTFT显示驱动电路的全部工艺采用单片集成的方式直接制备于所述第一封装层之上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海交通大学 基于OTFT电路驱动Micro-LED显示的集成结构
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