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一种含有BCP插入层的8-羟基喹啉铝/金属异质结热电子光电探测器及其制作方法 

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申请/专利权人:太原理工大学

摘要:本发明涉及光电探测器制作领域,一种含有BCP插入层的8‑羟基喹啉铝金属异质结的热电子光电探测器,由阳极层、有机半导体层、插入层、银纳米颗粒层、阴极层组成,阳极层为铟锡氧化物ITO,银纳米颗粒层和阴极层构成金属复合电极层,有机半导体层与金属复合电极层构成肖特基结,同时在肖特基结的界面插入很薄的BCP作为界面插入层。本发明还涉及该含有BCP插入层的8‑羟基喹啉铝金属异质结的热电子光电探测器的制备方法。本发明中设计的光电探测器,在正向偏压的条件下,暗电流保持在几十皮安级别,而亮电流呈现开启状态。

主权项:1.一种含有BCP插入层的8-羟基喹啉铝金属异质结热电子光电探测器,由阳极层、有机半导体层、插入层、银纳米颗粒层、阴极层组成,其特征在于:阳极层为铟锡氧化物ITO,银纳米颗粒层和铝阴极层构成金属复合电极层,有机半导体层与金属复合电极层构成肖特基结,其中在肖特基结的界面插入厚度为2±0.01纳米的BCP作为界面插入层,BCP为2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉。

全文数据:

权利要求:

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