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申请/专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
摘要：本发明提供一种热电膜的制备方法、热电膜及热电器件，制备方法包括提供衬底和热电材料，所述热电材料为碲化锑粉末或碲化铋粉末，所述热电材料中碲的原子百分比在62%‑67%之间；采用近空间升华工艺，在所述衬底上沉积所述热电材料，形成热电膜。本发明采用近空间升华工艺取代常见的磁控溅射工艺，显著提高了热电材料的沉积效率，降低生产成本；通过对近空间升华所用的源材料的组分进行预先调整，增加碲元素的含量，有效降低了沉积时碲元素挥发造成的损失，避免热电膜出现大的组分偏差，从而保证了热电膜的性能。
主权项：1.一种热电膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、提供衬底和热电材料，所述热电材料为碲化锑粉末或碲化铋粉末，所述热电材料中碲的原子百分比在62%-67%之间；S2、采用近空间升华工艺，在所述衬底上沉积所述热电材料，形成热电膜；所述近空间升华工艺参数为：所述热电材料的加热温度为600-800℃，所述衬底的加热温度为200-400℃，沉积距离4-6mm，沉积气压＜10-3Pa。
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权利要求：
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